PMOS

近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體工業(yè)的不斷發(fā)展，集成電路設(shè)計(jì)及制造工藝取得了非常巨大的進(jìn)步，越來(lái)越多的先進(jìn)技術(shù)運(yùn)用到集成電路制造工藝中，促進(jìn)了集成電路尺寸的微縮。隨著器件尺寸的不斷縮小，尤其是進(jìn)入先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后，器件可靠性問(wèn)題日趨嚴(yán)重，對(duì)器件的進(jìn)一步微縮構(gòu)成的很大挑戰(zhàn)。其中PMOS負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性（Negative bias temperature instability， NBTI）尤為突出，嚴(yán)重限制了PMOS器件壽命，已成為器件微縮時(shí)比較棘手的問(wèn)題之一。

下面是一個(gè)反接保護(hù)電路，用在12V電源輸入端，保護(hù)后級(jí)負(fù)載不被電源接反給“坑”了。這個(gè)電路的核心任務(wù)是防止電源正負(fù)極接反時(shí)，電流反向流到負(fù)載，把后級(jí)電路燒壞。

學(xué)員問(wèn)：PMOS與NMOS是如何工作的？什么是PMOS與NMOS？此處以增強(qiáng)型PMOS,NMOS為例，通常說(shuō)的MOS管說(shuō)的都是增強(qiáng)型MOS管。

在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問(wèn)題。載流子在通過(guò)MOSFET通道的大電場(chǎng)加速時(shí)獲得動(dòng)能。當(dāng)大多數(shù)載流子到達(dá)漏極時(shí)，熱載流子（動(dòng)能非常高的載流子）由于原子能級(jí)碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對(duì)。其他的可以注入柵極通道界面，打破Si-H鍵，增加界面態(tài)密度。CHC的影響是器件參數(shù)的時(shí)間相關(guān)的退化，如VT、IDLIN和IDSAT。這種通道熱載流子

在數(shù)字電路中，基礎(chǔ)邏輯門(mén)最后一個(gè)為非門(mén)，非門(mén)又叫反向器，是將輸入信號(hào)取反然后輸出。