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  • 英特爾IEDM 2024大曬封裝、晶體管、互連等領域技術突破
    在IEDM 2024（2024年IEEE國際電子器件會議）上，英特爾代工展示了包括先進封裝、晶體管微縮、互連縮放等在內的多項技術突破，以助力推動半導體行業(yè)在下一個十年及更長遠的發(fā)展。 英特爾通過改進封裝技術將芯片封裝中的吞吐量提升高達100倍，探索解決采用銅材料的晶體管在開發(fā)未來制程節(jié)點時可預見的互連微縮限制，并繼續(xù)為先進的全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管及其它相關技術定義和規(guī)劃晶體管路線圖。 這些技術
    英特爾IEDM 2024大曬封裝、晶體管、互連等領域技術突破
  • 獲批“集成電路科學與工程”一級學科點的機構論文統(tǒng)計（IEDM、ISSCC、ISPSD、ICCAD等）
    芯思想統(tǒng)計了自1979年以來，中國內地機構在IEDM、ISSCC、ISPSD、DAC、ICCAD、JSSC等五大行業(yè)頂會和一個頂刊上的論文發(fā)表情況。IEDM（International Electron Devices Meeting，國際電子器件會議）是IEEE旗下的王牌會議之一，被認為是器件領域的“世界奧林匹克大會”。自1955年舉辦以來，IEDM見證了人類從電子管到晶體管一直到超大規(guī)模集成電路和納電子器件的半個世紀發(fā)展歷史。
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    2024/12/15
  • 英特爾展示互連微縮技術突破性進展
    在IEDM2024上，英特爾代工的技術研究團隊展示了晶體管和封裝技術的開拓性進展，有助于滿足未來AI算力需求。 IEDM 2024（2024年IEEE國際電子器件會議）上，英特爾代工展示了多項技術突破，助力推動半導體行業(yè)在下一個十年及更長遠的發(fā)展。具體而言，在新材料方面，減成法釕互連技術（subtractive Ruthenium）最高可將線間電容降低25%1，有助于改善芯片內互連。英特爾代工還率
    英特爾展示互連微縮技術突破性進展
  • 英特爾繼續(xù)推進摩爾定律，為在2030年打造出萬億晶體管芯片鋪平道路
    在晶體管誕生75周年之際，英特爾在IEDM 2022上宣布將把封裝技術的密度再提升10倍，并使用厚度僅三個原子的新材料推進晶體管微縮。 在IEDM 2022（2022 IEEE國際電子器件會議）上，英特爾發(fā)布了多項突破性研究成果，繼續(xù)探索技術創(chuàng)新，以在未來十年內持續(xù)推進摩爾定律，最終實現(xiàn)在單個封裝中集成一萬億個晶體管。英特爾的研究人員展示了以下研究成果：3D封裝技術的新進展，可將密度再提升10倍；
  • 看VLSI會議中國內地論文情況，學術界和產業(yè)界應如何協(xié)同
    VLSI是超大規(guī)模集成電路國際研討會（Symposium on VLSI Technology and Circuits）的簡稱，每年六月中旬在日本京都、美國夏威夷輪流召開。會議匯集了世界各地行業(yè)和學術界的工程師和科學家，討論超大規(guī)模集成電路制造和設計中的挑戰(zhàn)。
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    2019/04/22