GaN器件

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  • 英諾賽科/英飛凌GaN創(chuàng)新：1200V；集成二極管
    4月14日，英諾賽科（02577）發(fā)布公告，宣布自主開發(fā)的1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)介紹，該產(chǎn)品憑借其寬禁帶特性，在高壓高頻場景中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢，具備零反向恢復(fù)電荷的核心優(yōu)勢，有助于進(jìn)一步推動能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應(yīng)用于新能源車、工業(yè)及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。
  • 意法半導(dǎo)體65W GaN變換器為注重成本的應(yīng)用提供節(jié)省空間的電源方案
    意法半導(dǎo)體的 VIPerGaN65D 反激式轉(zhuǎn)換器采用SOIC16封裝，可以用于設(shè)計(jì)體積較小的高性價比電源、適配器和 USB-PD (電力輸送) 快速充電器，最大輸出功率可達(dá)65W，輸入電壓為通用電網(wǎng)電壓。 這款準(zhǔn)諧振離線變換器集成一個700V GaN (氮化鎵) 晶體管和優(yōu)化的柵極驅(qū)動器及典型的安全保護(hù)功能，降低了利用寬帶隙技術(shù)提高功率密度和能效的技術(shù)門檻。GaN功率晶體管的最高開關(guān)頻率為240
    意法半導(dǎo)體65W GaN變換器為注重成本的應(yīng)用提供節(jié)省空間的電源方案
  • Nexperia擴(kuò)展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應(yīng)用中的功率需求
    Nexperia宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費(fèi)電子、工業(yè)、服務(wù)器/計(jì)算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業(yè)內(nèi)少有、同時提供級聯(lián)型或D-
    Nexperia擴(kuò)展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應(yīng)用中的功率需求
  • PD協(xié)議芯片：推動快充技術(shù)革新的核心引擎
    一、技術(shù)定義與標(biāo)準(zhǔn)化架構(gòu)? PD協(xié)議芯片（Power Delivery）是一種基于USB-IF組織制定的通用充電標(biāo)準(zhǔn)的核心集成電路，通過動態(tài)調(diào)節(jié)電壓（5-20V）與電流（最高5A），實(shí)現(xiàn)最高100W的電力傳輸能力?。其標(biāo)準(zhǔn)化特性打破了品牌私有快充協(xié)議的壁壘，成為跨設(shè)備兼容性最強(qiáng)的解決方案。例如，XSQ10芯片支持USB Type-C接口，可兼容智能手機(jī)、筆記本電腦等各類終端設(shè)備。 ?二、核心功能與
  • 深入解析 GaN 器件金剛石近結(jié)散熱技術(shù)：鍵合、生長、鈍化生長
    在追求更高功率密度和更優(yōu)性能的電子器件領(lǐng)域，GaN（氮化鎵）器件因其卓越的性能而備受矚目。然而，隨著功率密度的不斷提升，器件內(nèi)部的熱積累問題日益嚴(yán)重，成為制約其發(fā)展的主要瓶頸。
    深入解析 GaN 器件金剛石近結(jié)散熱技術(shù)：鍵合、生長、鈍化生長