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場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱(chēng)單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡(jiǎn)寫(xiě)成FET。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱(chēng)單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡(jiǎn)寫(xiě)成FET。收起

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  • 如何使用GaNFET設(shè)計(jì)四開(kāi)關(guān)降壓-升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器？
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  • 體二極管
    體二極管（Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)FET）是一種基于場(chǎng)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件，用于控制電流流動(dòng)。與雙極型晶體管相比，體二極管具有更高的輸入阻抗、較低的功耗和更好的高頻特性，因此在現(xiàn)代電子設(shè)備中得到廣泛應(yīng)用。
  • 增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管有什么區(qū)別
    場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是一種重要的半導(dǎo)體器件，根據(jù)其工作原理和特性可以分為增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（Enhancement Mode FET）和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管（Depletion Mode FET）。本文將介紹增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管之間的區(qū)別，包括工作原理、特性以及應(yīng)用領(lǐng)域。

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