ALD,ALE與傳統(tǒng)技術(shù)相比的優(yōu)勢(shì)?
學(xué)員問(wèn):ALD(原子層沉積),ALE(原子層刻蝕)與傳統(tǒng)的沉積,刻蝕技術(shù)相比,有什么優(yōu)勢(shì)?如上圖,先說(shuō)第一行,第一行是傳統(tǒng)鍍膜與ALD效果的對(duì)比,傳統(tǒng)薄膜沉積方法如 PECVD 或 PVD等,在高深寬比結(jié)構(gòu)中,由于氣體進(jìn)出受到了物理限制,側(cè)壁和底部區(qū)域的沉積速率不同。