芯片制造

• 100個(gè)關(guān)于芯片制造的關(guān)鍵知識(shí)點(diǎn)

  一、芯片制造基礎(chǔ)與材料 晶圓（Wafer）：單晶硅切片，常用尺寸為?8?英寸?/ 12?英寸，晶體取向（如<100>、<111>）影響器件性能。 襯底材料：除硅外，包括化合物半導(dǎo)體（GaAs、SiC、GaN）、絕緣體上硅（SOI）等。 光刻膠（Photoresist）：分正性?/?負(fù)性，對(duì)光敏感，曝光后化學(xué)性質(zhì)改變，用于定義圖案。 掩膜版（Mask/Reticle）：石英玻

  芯科技圈

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  芯片制造

  
• 芯片制造為什么需要StartOxide

  在芯片制造過程中，“Start Oxide”（通常稱為初始氧化層或起始氧化層）是一道基礎(chǔ)且關(guān)鍵的工藝步驟，其核心作用是為后續(xù)制造流程提供物理保護(hù)、絕緣隔離和工藝支撐。以下從技術(shù)原理和實(shí)際應(yīng)用角度詳細(xì)解析其必要性： 一、Start Oxide 的定義與制備方式 定義： 初始氧化層是在硅片（襯底）清洗后，通過熱氧化工藝（如干氧氧化、濕氧氧化或水汽氧化）在硅表面形成的一層薄二氧化硅（SiO?），厚度通常

  朝陽666

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  06/23 09:02

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