芯片制造

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  • 100個關(guān)于芯片制造的關(guān)鍵知識點
    一、芯片制造基礎(chǔ)與材料 晶圓（Wafer）：單晶硅切片，常用尺寸為?8?英寸?/ 12?英寸，晶體取向（如<100>、<111>）影響器件性能。 襯底材料：除硅外，包括化合物半導體（GaAs、SiC、GaN）、絕緣體上硅（SOI）等。 光刻膠（Photoresist）：分正性?/?負性，對光敏感，曝光后化學性質(zhì)改變，用于定義圖案。 掩膜版（Mask/Reticle）：石英玻
    100個關(guān)于芯片制造的關(guān)鍵知識點
  • 芯片制造為什么需要StartOxide
    在芯片制造過程中，“Start Oxide”（通常稱為初始氧化層或起始氧化層）是一道基礎(chǔ)且關(guān)鍵的工藝步驟，其核心作用是為后續(xù)制造流程提供物理保護、絕緣隔離和工藝支撐。以下從技術(shù)原理和實際應(yīng)用角度詳細解析其必要性： 一、Start Oxide 的定義與制備方式 定義： 初始氧化層是在硅片（襯底）清洗后，通過熱氧化工藝（如干氧氧化、濕氧氧化或水汽氧化）在硅表面形成的一層薄二氧化硅（SiO?），厚度通常
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  • 芯片制造為什么需要StartOxide？
    在芯片制造過程中，“Start Oxide”（通常稱為初始氧化層或起始氧化層）是一道基礎(chǔ)且關(guān)鍵的工藝步驟，其核心作用是為后續(xù)制造流程提供物理保護、絕緣隔離和工藝支撐。以下從技術(shù)原理和實際應(yīng)用角度詳細解析其必要性：
    芯片制造為什么需要StartOxide？
  • 一文了解薄膜制備(MOCVD 磁控濺射 PECVD)技術(shù)
    這一篇將會介紹幾種薄膜制備方法，在半導體加工工藝中，被提及最多就是光刻和刻蝕，其次就是外延（薄膜）工藝了。為什么芯片制造需要薄膜工藝呢？
    一文了解薄膜制備(MOCVD 磁控濺射 PECVD)技術(shù)
  • 芯片制造突破應(yīng)歸功于晶圓廠
    近年來，境內(nèi)晶圓廠制造工藝上頻頻取得突破，一步一個腳印，著實不容易。