一文帶你全面了解碳基射頻電子器件研究進(jìn)展
隨著6G時(shí)代的到來(lái),現(xiàn)代通信技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體射頻器件提出了更為嚴(yán)苛的要求:更低延時(shí):信息傳輸速度需達(dá)到前所未有的高度。更大功率:支持更遠(yuǎn)距離、更高速率的數(shù)據(jù)傳輸。更高速度:滿足海量數(shù)據(jù)傳輸需求。更大帶寬:容納更多設(shè)備同時(shí)接入網(wǎng)絡(luò)。然而,傳統(tǒng)硅基器件受限于材料本征特性,難以滿足上述需求: