碳化硅晶體

• 國產SiC實現(xiàn)3大技術突破：溝槽MOS/8英寸/SiCOI量產

  近期國內多家SiC企業(yè)均獲得了最新技術突破，涉及溝槽技術、大尺寸制備等：●?青禾晶元：實現(xiàn)了高質量晶圓級SiCOI（6寸，SiC膜厚1μm±100nm）的規(guī)?；a?！?國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（南京）：成功攻關溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關鍵技術●?上海漢虹：使用自行研發(fā)制造的碳化硅長晶爐成功拉制出高品質8英寸碳化硅晶體。

  行家說三代半

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  2024/09/03

  SiC 碳化硅MOSFET

  

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