硅器件

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  • SiC Combo JFET技術(shù)概覽與特性
    安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開(kāi)關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場(chǎng)景。 SiC Combo JFET 技術(shù)概覽 對(duì)于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常
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  • AMEYA360｜ROHM羅姆首次推出硅電容器BTD1RVFL系列
    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)新開(kāi)發(fā)出在智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域應(yīng)用日益廣泛的硅電容器。利用ROHM多年來(lái)積累的硅半導(dǎo)體加工技術(shù)，新產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了更小的尺寸和更高的性能。
  • ST 和Exagan開(kāi)啟GaN發(fā)展新篇章
    氮化鎵(GaN)是一種III-V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4 eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率分別為1.1 eV和1,400 cm2/Vs。因此，GaN與同尺寸的硅基器件相比，可以處理更大的負(fù)載，能效更高。