特瑞仕開發(fā)了功率MOSFET XPJ101N04N8R 和 XPJ102N09N8R
特瑞仕半導(dǎo)體株式會社(日本東京都中央?yún)^(qū) 董事總經(jīng)理:木村 岳史,以下簡稱“特瑞仕”)開發(fā)了功率 MOSFET XPJ101N04N8R 和 XPJ102N09N8R 作為功率器件的新系列。 近年來,工業(yè)設(shè)備和汽車相關(guān)設(shè)備對低功耗、小型化和高效化的需求不斷增加。為了響應(yīng)這些市場需求,特瑞仕不斷加強(qiáng) MOSFET 技術(shù)。特別是針對工業(yè)設(shè)備、數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器使用的 48V 直流電機(jī),采用了支持耐壓 10