濃度計

• 氮化鎵襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對于測量氮化鎵襯底 BOW/WARP 的影響

  在半導體領域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優(yōu)異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應用場景中嶄露頭角，成為推動行業(yè)發(fā)展的關鍵力量。而對于氮化鎵襯底而言，其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精確測量是保障后續(xù)芯片制造工藝精準實施的重要前提，不同的吸附方案在這一測量環(huán)節(jié)中扮演著截然不同的角色，其中環(huán)吸方案更是以獨特優(yōu)勢與其他方案形成鮮明對比，對測量結果產(chǎn)

  萬智光學

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  01/16 07:12

  碳化硅 晶圓

  
• 測量探頭的 “溫漂” 問題，都是怎么產(chǎn)生的，以及對于碳化硅襯底厚度測量的影響

  在半導體制造這一高精尖領域，碳化硅襯底作為支撐新一代芯片性能飛躍的關鍵基礎材料，其厚度測量的準確性如同精密機械運轉的核心齒輪，容不得絲毫差錯。然而，測量探頭的 “溫漂” 問題卻如隱匿在暗處的 “幽靈”，悄然干擾著測量進程，深刻影響著碳化硅襯底厚度測量的精度與可靠性。探究 “溫漂” 的產(chǎn)生根源以及剖析其帶來的全方位影響，對于半導體產(chǎn)業(yè)的穩(wěn)健發(fā)展至關重要。一、“溫漂” 現(xiàn)象的滋生源頭1.環(huán)境溫度的波動

  萬智光學

  732

  01/15 08:11

  碳化硅 晶圓

  

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