晶體

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晶體（crystal）是由大量微觀物質(zhì)單位（原子、離子、分子等）按一定規(guī)則有序排列的結(jié)構(gòu)，因此可以從結(jié)構(gòu)單位的大小來研究判斷排列規(guī)則和晶體形態(tài)。

晶體（crystal）是由大量微觀物質(zhì)單位（原子、離子、分子等）按一定規(guī)則有序排列的結(jié)構(gòu)，因此可以從結(jié)構(gòu)單位的大小來研究判斷排列規(guī)則和晶體形態(tài)。收起

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設(shè)計(jì)資料

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  • 一般晶體管光耦的開關(guān)特性
    我們通過仿真電路來模擬上一期介紹的開關(guān)電路，對(duì)實(shí)際設(shè)計(jì)有一定的參考意義。以下電路采用方波duty=50%為例，以不同的輸入端頻率進(jìn)行仿真測(cè)試。首先，Vcc=5V，R5、R6的取值遵循開關(guān)特性參數(shù)測(cè)試要求，此處輸出導(dǎo)通Vce約為0.2V，(Vol＜10%Vcc)，為方便觀察高電平交叉點(diǎn)，采用同相輸出接法。需要說明的是，本篇我們只考慮固定的R5、R6值，也就是確定的IF、IC電流，選定確定的Cton范
  • 基頻晶體與泛音晶體的解釋
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    2024/08/26
  • RFID技術(shù)在人工晶體清洗臺(tái)上的應(yīng)用案例分析
    在醫(yī)療領(lǐng)域中人工晶體清洗臺(tái)發(fā)揮著極為重要的作用，隨著市場(chǎng)需求的持續(xù)增長、技術(shù)的不斷創(chuàng)新、定制化趨勢(shì)的加強(qiáng)以及環(huán)保要求的提高，人工晶體清洗臺(tái)不免暴露出一下應(yīng)用痛點(diǎn)需要解決。 痛點(diǎn)：人工晶體清洗臺(tái)是通過將晶體逐步放入不同的溶液池清洗再通過人工來處理最終的步驟，每個(gè)流程還需要使用人工插工單作業(yè)指導(dǎo)書記錄流程中的每批物料，這樣在工作臺(tái)下夾工序需同時(shí)操作多個(gè)工單，容易發(fā)生混單事件，導(dǎo)致記錄混亂或者記錄不準(zhǔn)確。
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  • EPSON推出SG-8101CE系列可編輯晶振，為WIFI6模塊提供高性價(jià)比的解決方案
    在當(dāng)前通信領(lǐng)域飛速發(fā)展和升級(jí)的科技背景下，網(wǎng)絡(luò)信號(hào)的覆蓋程度，信號(hào)強(qiáng)度以及穩(wěn)定度，備受通信運(yùn)營商的關(guān)注，成為通信設(shè)備采購的首要考慮因素。尤其當(dāng)前在熱門的如WIFI6無線通信通信領(lǐng)域，更是數(shù)以億計(jì)的終端用戶最能直接體驗(yàn)感知的敏感點(diǎn)。 全球最大的晶體及時(shí)鐘產(chǎn)品提供商Epson（愛普生）推出SG-8101CE系列高精度可編輯晶振，支持0.67MHzto 170MHz的可調(diào)頻率范圍，在-40℃ to+85
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  • “SiCN”專為中國市場(chǎng)打造，PVA TePla助推新質(zhì)生產(chǎn)力
    第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，不僅能在更高溫度下穩(wěn)定運(yùn)行，適用于高電壓、高頻率場(chǎng)景，還能以較少的電能消耗，獲得更高的運(yùn)行能力。 尤其以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，隨著制備工藝逐步成熟，生產(chǎn)成本不斷降低，碳化硅在下游新能源汽車、光伏發(fā)電、儲(chǔ)能等應(yīng)用領(lǐng)域的滲透率持續(xù)提高，碳化硅半導(dǎo)體整體市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)快速增長態(tài)勢(shì)。而碳化硅晶片作為
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    2024/03/27
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