散熱器

• SiC MOSFET 并聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)

  基于多個高功率應(yīng)用案例，我們可以觀察到功率模塊與分立MOSFET并存的明顯趨勢，兩者在10kW至50kW功率范圍內(nèi)存在顯著重疊。雖然模塊更適合這個區(qū)間，但分立MOSFET卻能帶來獨特優(yōu)勢：設(shè)計自由度更高和更豐富的產(chǎn)品組合。當(dāng)單個 MOSFET 無法滿足功率需求時，再并聯(lián)一顆MOSFET即可解決問題。 然而，功率并非是選用并聯(lián)MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并聯(lián)還可以降低開關(guān)能耗，改善導(dǎo)熱

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  06/19 17:35

  MOSFET 散熱器

  
• 英特爾推進技術(shù)創(chuàng)新，以規(guī)模更大的封裝滿足AI應(yīng)用需求

  為了推動AI等創(chuàng)新應(yīng)用落地，使其惠及更廣大的用戶，需要指數(shù)級增長的算力。為此，半導(dǎo)體行業(yè)正在不斷拓展芯片制造的邊界，探索提高性能、降低功耗的創(chuàng)新路徑。 在這樣的背景下，傳統(tǒng)上僅用于散熱和保護設(shè)備的封裝技術(shù)正在從幕后走向臺前，成為行業(yè)熱門趨勢。與傳統(tǒng)的封裝技術(shù)不同，先進封裝技術(shù)可以在單個設(shè)備內(nèi)集成不同廠商、不同制程、不同大小、不同功能的芯片，從而為打造功能更強大、能效比更高的系統(tǒng)級芯片（SoC），帶

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  06/11 11:45

  英特爾 芯片

  

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