寬禁帶

• 升級(jí)電源和機(jī)架架構(gòu)，滿(mǎn)足AI服務(wù)器的需求

  英飛凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM產(chǎn)品非常適用于應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)中心機(jī)架和電源供應(yīng)單元（PSU）電力需求增長(zhǎng)所需的新架構(gòu)和AC-DC配電配置。 前言 人工智能（AI）的迅猛發(fā)展推動(dòng)了數(shù)據(jù)中心處理能力的顯著增長(zhǎng)。如圖1所示，英飛凌預(yù)測(cè)單臺(tái)GPU的功耗將呈指數(shù)級(jí)上升，預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)到約2000 W [1]，而AI服務(wù)器機(jī)架的峰值功耗將突破驚人的300 kW。這一趨勢(shì)促使數(shù)據(jù)中心機(jī)架的AC和D

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  02/24 08:11

  英飛凌 功率器件
• 白皮書(shū)導(dǎo)讀 | 電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的寬禁帶開(kāi)關(guān)器件

  近年來(lái)，電動(dòng)汽車(chē)的興起帶動(dòng)了寬禁帶器件的應(yīng)用，并逐漸滲透到各個(gè)市場(chǎng)。目前，工業(yè)電機(jī)主要使用逆變器來(lái)提高能效等級(jí)，這些逆變器在使用傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT作為功率開(kāi)關(guān)時(shí)存在一些限制，如總體損耗較高、開(kāi)關(guān)頻率和功率輸送受限等。隨著第三代半導(dǎo)體的興起，寬禁帶器件的應(yīng)用使得提高電機(jī)的功率密度、功率輸送能力和效率成為可能?！峨姍C(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的寬禁帶開(kāi)關(guān)器件》白皮書(shū)共18頁(yè)，主要探討了采用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）寬禁帶器件對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器效率的提升和應(yīng)用中需要克服的設(shè)計(jì)問(wèn)題。

  英飛凌

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  2024/12/26

  電機(jī)驅(qū)動(dòng) 寬禁帶

  
• Nexperia與KOSTAL就先進(jìn)車(chē)規(guī)級(jí)寬禁帶器件達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

  Nexperia今天宣布已與領(lǐng)先的汽車(chē)供應(yīng)商KOSTAL（科世達(dá)）建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，旨在生產(chǎn)更符合汽車(chē)應(yīng)用嚴(yán)苛要求的寬禁帶(WBG)器件。根據(jù)合作條款，Nexperia將開(kāi)發(fā)、制造和供應(yīng)由Kostal設(shè)計(jì)和驗(yàn)證的寬禁帶功率電子器件。此次合作初期將專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)用于電動(dòng)汽車(chē)(EV)車(chē)載充電器(OBC)的頂部散熱(TSC) QDPAK封裝的碳化硅(SiC) MOSFET器件。 KOSTAL Autom

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  2024/11/07

  SiC Nexperia

  
• 寬禁帶

  寬禁帶是指半導(dǎo)體材料的能隙較大，需要較高能量才能激發(fā)載流子的現(xiàn)象。在電子半導(dǎo)體行業(yè)中具有重要意義，本文將對(duì)寬禁帶進(jìn)行詳細(xì)介紹，以及其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用和影響。

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  2024/11/11

  寬禁帶

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