多晶硅

• 半導體芯片中，什么是多晶硅耗盡效應？

  在現(xiàn)代集成電路制造領域，多晶硅柵極是場效應晶體管（FET）的核心組件，其性能直接決定著晶體管的開關特性與集成電路的整體功能。憑借良好的電學性能、與現(xiàn)有硅基工藝的高兼容性，多晶硅柵極長期以來成為集成電路制造的首選材料，在推動晶體管尺寸不斷縮小、性能持續(xù)提升方面發(fā)揮了關鍵作用。

  國芯制造

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  05/04 14:28

  半導體芯片 多晶硅

  
• 為什么采用多晶硅作為柵極材料？

  學員問：為什么柵極的材料采用多晶硅？多晶硅柵的優(yōu)勢有哪些？柵極材料的變化？如上圖，gate就是柵極，柵極由最開始的鋁柵，到多晶硅柵，再到HKMG工藝中的金屬柵極。

  TOM聊芯片智造

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  02/07 08:57

  多晶硅 柵極
• 單晶和多晶光伏板區(qū)別

  單晶和多晶光伏板區(qū)別：轉化效率不同，單晶硅的光電轉換效率為17%左右，多晶硅轉換效率約15％左右；制造的成本不同，多晶硅比單晶硅太陽能電池要便宜一些，材料制造簡便，節(jié)約電耗；使用壽命的不同，多晶硅太陽能電池的使用壽命也要比單晶硅太陽能電池短。

  xiaohongxiang

  14.3萬

  2024/05/11

  多晶硅 單晶硅

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