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常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料

常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料收起

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  • 揭秘鎂伽科技：從生命科學到半導體，AI如何助力其成功突圍？
    本期話題：跨界破局：鎂伽如何憑底層共性從生命科學跨界半導體？數字孿生+人工智能模塊：實現工廠設備互聯(lián)互通；獨角獸進擊：鎂伽如何借助AI實現彎道超車？
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  • 28納米以下先進制程為何離不開HKMG工藝
    在半導體制造的不斷演進中，先進制程的發(fā)展一直是推動行業(yè)進步的關鍵力量。當制程工藝推進到28納米及以下，HKMG（High-K Metal Gate，高介電常數金屬柵極）技術成為了不可或缺的存在。 從物理原理角度來看，隨著制程尺寸縮小，傳統(tǒng)材料和技術面臨嚴峻挑戰(zhàn)。在晶體管中，柵極作為控制電流的關鍵結構，其性能直接影響著芯片的整體表現。當制程進入28納米以下，若繼續(xù)使用傳統(tǒng)的二氧化硅(SiO?)作為柵
  • 機器“掘金潮”：面向人工智能時代擴展基礎設施
    作者：是德科技Jenn Mullen 在淘金熱時期，懷揣著致富夢想的探礦者們紛紛涌入美國西部，希望通過淘金發(fā)家致富。如今，科技領域的開拓者也同樣躍躍欲試，希望在人工智能（AI）領域大展拳腳。普華永道（PWC）估計，到2030年，全球經濟總收益的45%將由人工智能驅動，越來越多的行業(yè)將受益于人工智能帶來的生產力和產品性能提升。普華永道的研究進一步指出，人工智能有望為全球GDP額外貢獻15.7萬億美元
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  • 手機高溫禁區(qū)突圍 英麥科半導體薄膜電感160℃·1000H極限實驗可靠性實證報告
    "當你的手機： 邊快充邊玩《悟空》時?→電感溫度飆升至110℃ 4K視頻連續(xù)拍攝時?→電感持續(xù)工作在85℃+ 地鐵刷劇1小時后?→主板形成局部高溫區(qū) 傳統(tǒng)電感正在經歷材料疲勞的隱形崩塌..." 1. 實驗標準對比（嚴于車載產品標準） 2. 實驗前后形態(tài)對比(產品內、外部無開裂情形） 3、性能驗證：同規(guī)格產品與某臺系規(guī)格參數比對試驗后平均降幅小 ·?L值測試設備：Keysight E4980A LC
  • 半導體"權力游戲"：GAAFET
    北京大學團隊研發(fā)出全球首款二維GAAFET晶體管，以鉍材料突破接觸電阻量子極限，開啟后摩爾時代。這項成果在《自然》發(fā)表，實測性能超越國際巨頭，二維堆疊技術使中國半導體站上1納米制程競爭最前沿。
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