制程工藝

2月23日消息，近日英特爾通過官網(wǎng)正式上線了對于其最尖端的Intel 18A制程工藝的介紹，并稱其已經(jīng)已經(jīng)“準備就緒”。根據(jù)外界預(yù)計，Intel 18A將于2025 年年中進入量產(chǎn)，將由酷睿 Ultra 300 系列“Panther Lake”處理器首發(fā)，預(yù)計將于今年下半年上市。

1. CUSCRB。全稱：Copper Scrubbing。含義：指銅互連制程中使用機械或化學方法清除銅表面氧化層或微顆粒的工藝，確保銅互連層的表面潔凈，改善導電性能。

CPK是制程能力的關(guān)鍵指標，用于評估工藝過程能否穩(wěn)定生產(chǎn)出符合規(guī)格范圍的產(chǎn)品。它通過統(tǒng)計分析實際數(shù)據(jù)來衡量制程的中心位置與規(guī)格目標的偏離程度，同時考慮過程的變異情況。換句話說，CPK反映了制程滿足設(shè)計要求的能力，以及制程的性能穩(wěn)定。

本項目專注于晶圓光刻過程的仿真，采用先進的機器人技術(shù)和自動化手段，提高精度、一致性和效率。該系統(tǒng)包括一個帶有抓手的機械臂以及四個關(guān)鍵設(shè)備：加熱板、旋涂機、晶圓清洗機和無掩模直接寫入對準儀（MLA150），這些設(shè)備都集成在一個中央工作區(qū)周圍。我們使用西門子Tecnomatix Process Simulate提供的詳細3D仿真環(huán)境來建模和優(yōu)化制造過程。仿真涵蓋了17個相互連接的步驟，每個步驟都由可編程邏輯控制器（PLC）控制，確保操作無縫進行并保持高生產(chǎn)質(zhì)量。該方法旨在減少人力資源，降低生產(chǎn)風險，并確保在制造約瑟夫森參量放大器（JPA）時達到最高質(zhì)量和可靠性標準。該項目強調(diào)了數(shù)字化制造解決方案在現(xiàn)代光刻中的潛力，為未來的應(yīng)用提供了一個可擴展且高效的模型。

4月下旬，臺積電發(fā)布了一種新版本4nm制程工藝——N4C，計劃在2025年上線量產(chǎn)。這款工藝產(chǎn)品的核心價值是降低了成本。雖然臺積電的大部分精力都集中在其領(lǐng)先的制程節(jié)點上，如N3E和N2，但在未來幾年，大量芯片仍將繼續(xù)使用5nm和4nm制程。N4C屬于該公司5nm制程系列，為了進一步降低制造成本，N4C進行了一些修改，包括重新構(gòu)建其標準單元和SRAM，更改一些設(shè)計規(guī)則，以及減少掩膜層數(shù)量。通過以上改進措施，N4C能實現(xiàn)更小的芯片尺寸并降低生產(chǎn)復(fù)雜性，從而將芯片成本降低8.5%左右。