光刻

近期，英特爾一位高管拋出一個(gè)頗具爭(zhēng)議的觀點(diǎn)：未來(lái)的晶體管設(shè)計(jì)（如GAAFET和CFET）可能降低芯片制造對(duì)先進(jìn)光刻設(shè)備，特別是ASML的極紫外（EUV）光刻機(jī)的依賴。這一論斷挑戰(zhàn)了當(dāng)前先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域?qū)UV技術(shù)“不可或缺”的普遍認(rèn)知，引發(fā)了業(yè)界的廣泛討論。

第九屆國(guó)際先進(jìn)光刻技術(shù)研討會(huì) （IWAPS 2025） IWAPS 2025? 第九屆國(guó)際先進(jìn)光刻技術(shù)研討會(huì)（IWAPS）將于10月14-15日在深圳隆重舉行！本次研討會(huì)由中國(guó)集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟、中國(guó)光學(xué)學(xué)會(huì)主辦，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所、深圳市半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（深芯盟）、南京誠(chéng)芯集成電路技術(shù)研究院有限公司聯(lián)合承辦，誠(chéng)邀全球業(yè)界精英共赴這場(chǎng)光刻技術(shù)領(lǐng)域的學(xué)術(shù)盛宴！國(guó) 際先進(jìn)光刻技術(shù)研討會(huì)（IW

在現(xiàn)代集成電路制造中，正光刻膠（Positive Photoresist）是絕對(duì)的主流選擇，尤其在先進(jìn)制程（如 28nm、16nm、7nm 及以下）中，絕大多數(shù)關(guān)鍵層都使用正光刻膠。

芯片生產(chǎn)主要包括沉積、光刻、蝕刻等步驟，其中光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中最關(guān)鍵一環(huán)，主要負(fù)責(zé)把芯片設(shè)計(jì)圖案通過(guò)光學(xué)顯影技術(shù)轉(zhuǎn)移到芯片表面，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)在半導(dǎo)體晶片表面上制造微小結(jié)構(gòu)。光刻機(jī)生產(chǎn)具備高技術(shù)門(mén)檻，需要高度精度設(shè)備和嚴(yán)格的控制流程，以達(dá)到所需的制造精度。而先進(jìn)的芯片制程工藝需要先進(jìn)的、高分辨率的光刻機(jī)，因此光刻機(jī)直接影響芯片的工藝制程與性能。

計(jì)算光刻作為現(xiàn)代芯片制造光刻環(huán)節(jié)的核心技術(shù)之一，其發(fā)展經(jīng)歷了從規(guī)則導(dǎo)向到模型驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)變。然而，隨著制程邁向7nm乃至5nm節(jié)點(diǎn)，傳統(tǒng)方法因規(guī)則局限、優(yōu)化自由度不足等制約，難以滿足復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)的高要求。在此背景下，反向光刻技術(shù)（ILT）以其獨(dú)特的優(yōu)化思路應(yīng)運(yùn)而生。 ILT即從目標(biāo)芯片圖案出發(fā)，逆向推導(dǎo)獲得最優(yōu)化掩模圖案，極大地提升優(yōu)化的靈活性和精準(zhǔn)度，更能滿足先進(jìn)制程對(duì)圖形精度的苛刻需求。因此，在探