• 正文
    • 1.熱擊穿的特點(diǎn)是什么
    • 2.熱擊穿和電擊穿的區(qū)別
  • 推薦器件
  • 相關(guān)推薦
  • 電子產(chǎn)業(yè)圖譜
申請入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

熱擊穿的特點(diǎn)是什么 熱擊穿和電擊穿的區(qū)別

2023/09/08
7120
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

熱擊穿是指在高溫條件下,電絕緣材料的絕緣性能遭受破壞,導(dǎo)致電流通過絕緣介質(zhì)的現(xiàn)象。當(dāng)電絕緣材料處于高溫環(huán)境下時(shí),由于材料內(nèi)部的分子或原子運(yùn)動(dòng)劇烈,能量足夠大,可以導(dǎo)致絕緣材料的電絕緣性能失效,使電流通過絕緣材料,從而產(chǎn)生熱擊穿。

1.熱擊穿的特點(diǎn)是什么

熱擊穿具有一些顯著的特點(diǎn),下面將進(jìn)行詳細(xì)介紹。

  • 溫度依賴性: 熱擊穿是與溫度密切相關(guān)的現(xiàn)象。隨著溫度的升高,絕緣材料內(nèi)部的分子或原子運(yùn)動(dòng)加劇,能量增加,導(dǎo)致熱擊穿發(fā)生的可能性增大。熱擊穿通常在高溫環(huán)境下更容易發(fā)生。
  • 非瞬態(tài)現(xiàn)象: 熱擊穿并非瞬間發(fā)生,而是經(jīng)過一定時(shí)間的積累和作用。在高溫環(huán)境中,絕緣材料的電絕緣性能逐漸減弱,直到達(dá)到無法維持絕緣狀態(tài)的臨界點(diǎn),才會(huì)發(fā)生熱擊穿。
  • 熱力學(xué)因素: 熱擊穿與材料的熱力學(xué)性質(zhì)有關(guān)。例如,熱擊穿可能由于材料的熱膨脹系數(shù)和熱導(dǎo)率等因素造成。熱膨脹系數(shù)不匹配會(huì)導(dǎo)致材料在高溫下產(chǎn)生應(yīng)力集中,從而降低了絕緣性能。另外,熱導(dǎo)率較高的材料更容易傳導(dǎo)熱量,提高擊穿的風(fēng)險(xiǎn)。
  • 材料相關(guān)性: 不同材料對熱擊穿的敏感性有所差異。某些材料在高溫環(huán)境下更容易發(fā)生熱擊穿,而其他材料則具有較好的耐熱擊穿性能。因此,選擇適合的絕緣材料對于防止熱擊穿非常重要。

2.熱擊穿和電擊穿的區(qū)別

熱擊穿和電擊穿都是絕緣材料失效導(dǎo)致電流通過的現(xiàn)象,但它們有著一些明顯的區(qū)別。

1)熱擊穿是在高溫條件下發(fā)生的,而電擊穿則是在正常溫度條件下發(fā)生的。熱擊穿主要涉及材料在高溫環(huán)境下的熱力學(xué)性質(zhì)和絕緣性能,而電擊穿則與電場強(qiáng)度和介質(zhì)的電絕緣性能有關(guān)。

2)熱擊穿通常是一個(gè)較為緩慢的過程,而電擊穿則可能是一個(gè)突然發(fā)生的現(xiàn)象。由于熱擊穿需要在高溫環(huán)境下逐漸積累能量,因此往往需要一段時(shí)間才會(huì)發(fā)生。而電擊穿可以在極短的時(shí)間內(nèi)發(fā)生,例如在電壓突然升高或電場強(qiáng)度超過絕緣材料的耐受范圍時(shí)。

3)熱擊穿和電擊穿的機(jī)制也有所不同。熱擊穿是由于高溫環(huán)境下絕緣材料內(nèi)部的能量積累導(dǎo)致的,而電擊穿則是由于電場強(qiáng)度超過絕緣材料的耐受范圍,使得電子在絕緣材料中發(fā)生沖擊電離,形成放電通道。電擊穿是以電子在強(qiáng)電場作用下加速碰撞周圍分子或原子,產(chǎn)生大量電子-正離子對并引起電流放電。

4)還有一些其他區(qū)別值得注意。熱擊穿主要涉及材料的熱力學(xué)性質(zhì),而電擊穿則更側(cè)重于材料的電性能。在防止熱擊穿時(shí),常采取降低溫度、增加絕緣材料厚度或選擇具有良好耐高溫性能的材料等措施。而在防止電擊穿時(shí),則需要考慮合適的絕緣材料和合理的設(shè)計(jì)以提供足夠的電絕緣性能。

綜上所述,熱擊穿和電擊穿是兩種不同的失效現(xiàn)象。熱擊穿發(fā)生在高溫條件下,與材料的熱力學(xué)性質(zhì)和耐高溫性能有關(guān),是一個(gè)較為緩慢的過程。而電擊穿發(fā)生在正常溫度下,與電場強(qiáng)度和絕緣材料的電絕緣性能有關(guān),可突然發(fā)生。了解熱擊穿和電擊穿的區(qū)別對于正確評估和預(yù)防這兩種現(xiàn)象的發(fā)生具有重要意義。

推薦器件

更多器件
器件型號 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊 ECAD模型 風(fēng)險(xiǎn)等級 參考價(jià)格 更多信息
571FDB000159DG 1 Silicon Laboratories Inc Oscillator, 10MHz Min, 810MHz Max, 810MHz Nom
$152.06 查看
CR1225 1 The Swatch Group Ltd BATTERY, LITHIUM MANGANESE DIOXIDE, PRIMARY, 1225, 3 V, 0.048 Ah
$0.81 查看
LTC6992IS6-1#TRPBF 1 Linear Technology LTC6992 - TimerBlox: Voltage-Controlled Pulse Width Modulator (PWM); Package: SOT; Pins: 6; Temperature Range: -40°C to 85°C
暫無數(shù)據(jù) 查看

相關(guān)推薦

電子產(chǎn)業(yè)圖譜