SiC MOSFET中自由器件實(shí)現(xiàn)的優(yōu)化

2023/10/26 作者：力特奧維斯Littelfuse

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SiC MOSFET中自由器件實(shí)現(xiàn)的優(yōu)化

本文討論了在半橋結(jié)構(gòu)下SiC MOSFET自由器件實(shí)現(xiàn)的優(yōu)化。介紹了用SiC MOSFET開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的多自由度器件的動(dòng)態(tài)特性。比較了SiC MOSFET體二極管和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)在開(kāi)爾文源連接和無(wú)開(kāi)爾文源連接下的開(kāi)關(guān)器件的性能。本文旨在確定SiC MOSFET的主體二極管是否是MOSFET高速開(kāi)關(guān)的限制因素。

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