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Littelfuse電源半可能的故障模式按包應(yīng)用說(shuō)明

2024/01/03
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Littelfuse電源半可能的故障模式按包應(yīng)用說(shuō)明

由于IGBT模具的結(jié)構(gòu)，壓包式IGBT對(duì)壓力和靜電放電(ESD)都敏感。器件上的非均勻夾緊或過(guò)夾緊壓力可能導(dǎo)致硅的直接損壞或器件操作能力的惡化。其次，由于MOSFET柵極結(jié)構(gòu)，IGBT對(duì)ESD很敏感。在操作設(shè)備時(shí)，如果不采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施，可能會(huì)由于不受控制的靜電放電/感應(yīng)高壓對(duì)設(shè)備造成災(zāi)難性的損壞。

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SPA11N80C3XKSA2 1 Infineon Technologies AG Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN
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BAV99 1 Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Rectifier Diode,

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Littelfuse

Littelfuse

在從消費(fèi)電子產(chǎn)品到車輛和工業(yè)設(shè)施的使用電能的應(yīng)用中，Littelfuse 產(chǎn)品一只是重要的組件。他們提供業(yè)界最廣泛、最深入的電路保護(hù)產(chǎn)品組合，并在功率控制和檢測(cè)領(lǐng)域擁有不斷發(fā)展的平臺(tái)。作為其加速組織增長(zhǎng)和戰(zhàn)略并購(gòu)公司戰(zhàn)略的一部分，他們正不斷向相鄰市場(chǎng)擴(kuò)張。這些市場(chǎng)包括功率半導(dǎo)體、重型開(kāi)關(guān)、磁性、光學(xué)、機(jī)電和溫度傳感器；并提供安全控制和電力分配產(chǎn)品。

在從消費(fèi)電子產(chǎn)品到車輛和工業(yè)設(shè)施的使用電能的應(yīng)用中，Littelfuse 產(chǎn)品一只是重要的組件。他們提供業(yè)界最廣泛、最深入的電路保護(hù)產(chǎn)品組合，并在功率控制和檢測(cè)領(lǐng)域擁有不斷發(fā)展的平臺(tái)。作為其加速組織增長(zhǎng)和戰(zhàn)略并購(gòu)公司戰(zhàn)略的一部分，他們正不斷向相鄰市場(chǎng)擴(kuò)張。這些市場(chǎng)包括功率半導(dǎo)體、重型開(kāi)關(guān)、磁性、光學(xué)、機(jī)電和溫度傳感器；并提供安全控制和電力分配產(chǎn)品。收起

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