IGBT應(yīng)用手冊(cè)

2023/10/01 作者：安森美半導(dǎo)體

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IGBT應(yīng)用手冊(cè)

IGBT是一種四層半導(dǎo)體器件，結(jié)合了雙極晶體管(集電極-發(fā)射極)的電壓特性和MOSFET的驅(qū)動(dòng)特性。這個(gè)概念最早記錄在山神于1968年提交的一項(xiàng)日本專利中。第一個(gè)設(shè)備是平面技術(shù)，但最近垂直的溝槽設(shè)備已經(jīng)流行起來。

近年來，由于IGT擅長(zhǎng)的高電壓、高功率應(yīng)用的增加，IGT的普及程度飆升。雖然開關(guān)速度比MOSFET慢，但在大電流下，VCE(SAT)特性比MOSFET有顯著改善，特別是對(duì)于高壓器件。它們的額定電壓范圍為300至1200伏以上，單個(gè)芯片的額定電流為15至100安培。IGBT模塊的電流額定值可達(dá)100安培。

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器件型號(hào)	數(shù)量	器件廠商	器件描述	參考價(jià)格	更多信息
CL21B104KBCNNNC	1	Samsung Electro-Mechanics	Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 0.1uF, 50V, ±10%, X7R, 0805 (2012 mm), 0.033"T, -55o ~ +125oC, 7" Reel	$0.1	查看
5110	1	Pomona Electronics	Audio/RCA Connector, 3 Pole(s), Solder Terminal, Plug	$0.41	查看
0500588000	1	Molex	Wire Terminal, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT	$0.11	查看

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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、航空及電源應(yīng)用的獨(dú)特設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，既快速又符合高性價(jià)比。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的世界一流、增值型供應(yīng)鏈和網(wǎng)絡(luò)。

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們?cè)谄嚒⑼ㄐ?、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、航空及電源應(yīng)用的獨(dú)特設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，既快速又符合高性價(jià)比。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的世界一流、增值型供應(yīng)鏈和網(wǎng)絡(luò)。收起