芯耀
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汽車行業(yè)的最新趨勢是車輛電氣化。 效率是電池電動汽車的關鍵參數(shù)之一，因為更高的效率意味著車輛的行駛里程增加，由于車輛中電池的減少而導致重量和成本的減輕。 碳化硅 MOSFET 是一項能夠提高電力傳動系統(tǒng)效率的技術。 用于驅動功率模塊的柵極驅動器是牽引逆變器中非常重要的組成部分。 良好的柵極驅動器設計對于獲得逆變器的高效率以及確保逆變器的安全至關重要。
作為這項工作的一部分，三相柵極驅動器板 SEC?SiCGDSSSC?GEVB 是采用 onsemi 的新型隔離柵極驅動器 IC NCV57050 設計的。 NCV57050 滿足 SiC 模塊完整柵極驅動的所有要求。 NCV57050 的一些特性包括非常高的驅動電流能力、快速 DESAT 保護、其他保護功能、隔離溫度測量、有源米勒鉗位、寬偏置電壓范圍等。
本應用筆記涵蓋了 SEC?SiCGDSSSDC?GEVB 評估板的規(guī)格、設計和測試結果，如圖 1 和圖 2 所示。該柵極驅動器板展示了用于單側直接冷卻 6 組的完整柵極驅動器解決方案 碳化硅功率模塊（SSDC模塊）如圖3所示。
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