The MMRF1011HR5 and MMRF1011HSR5 RF power transistors are designed for applications operating at frequencies between 1200 and 1400 MHz, 1% to 12% duty cycle. These devices are suitable for use
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ARCHIVED - MMRF1011HR5, MMRF1011HSR5 1400 MHz, 330 W, 50 V Pulse L-Band RF Power MOSFETs - Data Sheet
The MMRF1011HR5 and MMRF1011HSR5 RF power transistors are designed for applications operating at frequencies between 1200 and 1400 MHz, 1% to 12% duty cycle. These devices are suitable for use
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起
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