網(wǎng)絡(luò)電阻是將多個電阻元件集成在單一封裝內(nèi)的復(fù)合器件,這種集成化組件通過在一個基板上制作多個相互關(guān)聯(lián)或獨(dú)立的電阻元件,顯著提高了電路板的組裝密度和元件一致性。
1.網(wǎng)絡(luò)電阻的基本結(jié)構(gòu)
1.1 襯底材料
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陶瓷基板:96%氧化鋁或氮化鋁陶瓷,提供優(yōu)良的絕緣性和熱傳導(dǎo)
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硅基集成:采用半導(dǎo)體工藝制作,可實(shí)現(xiàn)更高精度和溫度穩(wěn)定性
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薄膜/厚膜工藝:電阻層通過真空沉積或絲網(wǎng)印刷形成,精度范圍±0.1%至±5%
1.2 內(nèi)部連接方式
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隔離型:各電阻相互獨(dú)立,引腳一一對應(yīng)
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總線型:所有電阻一端連通,另一端獨(dú)立引出
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分壓器型:串聯(lián)電阻鏈,中間節(jié)點(diǎn)引出
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終端匹配型:包含上拉/下拉電阻對,用于傳輸線匹配
2.網(wǎng)絡(luò)電阻的主要類型
2.1 SIP/DIP封裝
單列/雙列直插式封裝,引腳間距2.54mm(0.1英寸),4-16個電阻集成,阻值范圍10Ω-1MΩ,功率0.1-0.5W/電阻
2.2 SMD陣列
表面貼裝型,常見0406(4元件0603)、0612(8元件1206)等規(guī)格,工作電壓50-200V,溫度系數(shù)±25ppm/℃至±100ppm/℃
2.3 排阻網(wǎng)絡(luò)
電阻排(RPACK)包含多個相同阻值電阻,通常用于總線終端或I/O接口,阻抗匹配精度±1%至±5%
2.4 數(shù)字可編程
集成MOSFET開關(guān)或熔絲鏈路,可通過數(shù)字信號或激光修調(diào)改變阻值組合,分辨率8-12位,用于可調(diào)增益放大器等
3.關(guān)鍵性能參數(shù)
3.1 匹配精度:網(wǎng)絡(luò)內(nèi)電阻間的相對偏差,高精度型號達(dá)±0.01%,普通型±1%-±2%。薄膜工藝比厚膜具有更好的匹配特性。
3.2 溫度跟蹤:相鄰電阻的阻值隨溫度變化的一致性,優(yōu)質(zhì)網(wǎng)絡(luò)電阻的跟蹤系數(shù)<5ppm/℃,對差分電路至關(guān)重要。
3.3 功率降額:環(huán)境溫度超過70℃時需線性降額使用,通常125℃時降為額定功率的50%。網(wǎng)絡(luò)總功耗還需考慮相鄰元件熱耦合。
3.4 電壓限制:最大工作電壓由電阻間距和基板絕緣性決定,SMD型通常50-200V,高壓專用型可達(dá)1kV以上。
4.典型應(yīng)用場景
4.1 模擬信號處理
4.2 數(shù)字接口終端
4.3 電壓/電流轉(zhuǎn)換
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V-I轉(zhuǎn)換器精密電阻組
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電流鏡匹配網(wǎng)絡(luò)
4.4 參考電壓生成
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帶隙基準(zhǔn)分壓網(wǎng)絡(luò)
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多路基準(zhǔn)電壓生成
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DAC輸出比例網(wǎng)絡(luò)
5.選型與使用指南
5.1 精度選擇:根據(jù)電路需求選擇匹配精度,12位ADC至少需要0.1%匹配,8位系統(tǒng)0.5%即可。關(guān)鍵路徑考慮溫度跟蹤系數(shù)。
5.2 功率計算:計算各電阻實(shí)際功耗,考慮最壞情況下的電壓分配。多電阻同時工作時需評估網(wǎng)絡(luò)整體溫升。
5.3 布局優(yōu)化:對稱電路應(yīng)保持網(wǎng)絡(luò)電阻與相關(guān)器件布局對稱,差分對盡量靠近目標(biāo)IC,減少走線不對稱影響。
5.4 替代方案
當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)網(wǎng)絡(luò)電阻不滿足要求時,可考慮:
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定制激光修調(diào)網(wǎng)絡(luò)
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分立匹配電阻組
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集成電阻的專用IC