3nm晶圓大廠上演卡位戰(zhàn)

半導(dǎo)體制造今年將正式3nm時(shí)代，包括臺(tái)積電、三星、英特爾都積極卡位，其中，臺(tái)積電全數(shù)提供晶圓代工業(yè)務(wù)使用，三星、英特爾屬于整合元件廠（IDM），其制程產(chǎn)能多優(yōu)先用于自家產(chǎn)品。

目前在3nm先進(jìn)制程量產(chǎn)上，臺(tái)積電、三星是主要競(jìng)爭(zhēng)者，兩家公司都給自己設(shè)立了今年量產(chǎn)3nm的目標(biāo)。其中，三星規(guī)劃2022年上半年先量產(chǎn)第一代3nm；臺(tái)積電維持目標(biāo)在2022年下半年量產(chǎn)3nm，不過，二者制程技術(shù)存在差異。

三星期望借由采用環(huán)繞閘極技術(shù)（Gate-All-Around，GAA）來精進(jìn)制程，提高量產(chǎn)良率。臺(tái)積電3nm則按照客戶需求仍采用鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）技術(shù)，且2021年已獲得多個(gè)客戶產(chǎn)品投片，終端應(yīng)用包含行動(dòng)通信與高效能運(yùn)算。

臺(tái)積電多次強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積3nm（N3）制程技術(shù)推出時(shí)將會(huì)是業(yè)界最先進(jìn)的制程技術(shù)，具備最佳的PPA及晶體管技術(shù)。相較于5nm制程技術(shù)，3nm制程技術(shù)的邏輯密度將增加約70%，在相同功耗下速度提升10%至15%，或者在相同速度下功耗降低25%至30%。研究機(jī)構(gòu)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電將持續(xù)拉高與三星的差距，去年第3季晶圓代工市占率高達(dá)53.1%。

?