半導(dǎo)體｜美國美光提速EUV DRAM開發(fā)速度，次世代EUV DRAM競爭加劇

CINNO Research 產(chǎn)業(yè)資訊，美國美光科技開始提速 EUV DRAM。加入到三星電子、SK 海力士等全球第一、第二 EUV 廠商選擇的 EUV 陣營后，后續(xù) EUV 競爭或?qū)⒏鼮榧ち摇?/p>

根據(jù)韓媒 etnews 報道，美光科技通過多個網(wǎng)站開始招聘 EUV 設(shè)備開發(fā)負責(zé)工程師。美光的公告顯示：招聘負責(zé)美光 EUV 設(shè)備 Scaner 技術(shù)開發(fā)，管理 EUV 系統(tǒng)和與 ASML 的溝通的人才。工作地點為美光總部美國愛達荷州(Idaho)的博伊西(Boise)。

?

美光是繼三星電子和 SK 海力士之后，以 20%的全球市占率排第三的 DRAM 廠商。本月初時美光中國臺灣 DRAM 工廠還因停電一小時導(dǎo)致工廠停產(chǎn)。截止到 3 季度時較好業(yè)績備受業(yè)界矚目。且在 Nand Flash 領(lǐng)域，也率先發(fā)布了全球首款 176 層產(chǎn)品。

公司與其他 DRAM 廠商一樣，投產(chǎn) 10 納米級 3 代（1z）產(chǎn)品作為新品。計劃明年上半年量產(chǎn) 4 代（1a）DRAM。

但與三星電子、SK 海力士不同，并無計劃在 1a DRAM 產(chǎn)品上使用 EUV 技術(shù)。

最近 EUV 制程備受被稱之為 IT 設(shè)備大腦的集成芯片領(lǐng)域的青睞，短期內(nèi)有望滲透至 DRAM 其他層。但相比 ArF 制程，技術(shù)難度仍高、且設(shè)備運營費用也相對更高。

而根據(jù)美光公開的資訊顯示，考慮到費用和成本、技術(shù)限制等原因，次次時代 DRAM ‘1-β’產(chǎn)品前并無計劃采用 EUV 制程。

美光副總裁 Scott DeBoer 表示過：會分析多方面因素后，從 1-δ （10 納米 7 代）產(chǎn)品開始導(dǎo)入 EUV 制程。

本次的招聘公告顯示出公司將通過招聘精通于 EUV 技術(shù)的專家累計技術(shù)，以確保在最佳時機導(dǎo)入 EUV 制程的戰(zhàn)略。?未來美光正式跨入 EUV DRAM 量產(chǎn)市場后，Memory 市場中 3 家競爭將更為激烈。

在 DRAM 市場占比 40%，排名第一的三星已經(jīng)通過 1z 產(chǎn)品上導(dǎo)入 EUV 技術(shù)宣示技術(shù)領(lǐng)先差距，且計劃在明年上市的 1a 產(chǎn)品 EUV 制程比重也是業(yè)界關(guān)注的焦點。

而 SK 海力士也正忙于明年導(dǎo)入 1a DRAM 的 EUV 制程。SK 海力士計劃明年在京畿道黎川新 DRAM 工廠 M16 中搬入新 EUV 系統(tǒng)，為 EUV 技術(shù)量產(chǎn)而努力。