芯耀
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臺(tái)積電當(dāng)下的 10nm 工藝苦陷良率較低的難題，導(dǎo)致聯(lián)發(fā)科的 helio X30 未能如期上市，在這個(gè)當(dāng)口其推出了 16nm FinFET 的改進(jìn)版 12nm FinFET 工藝，這應(yīng)該是華為海思和聯(lián)發(fā)科的更好選擇。
臺(tái)積電目前依然在對(duì) 10nm 工藝進(jìn)行改進(jìn)，并用于生產(chǎn)蘋果的 A10X 處理器，到了三季度該工藝又將用于生產(chǎn)蘋果的 A11 處理器，在這樣的情況下其 10nm 工藝的產(chǎn)能緊張狀況將至少延續(xù)到今年三季度，而且由于其向來(lái)優(yōu)先照顧蘋果的傳統(tǒng)能分給華為海思和聯(lián)發(fā)科的產(chǎn)能必然會(huì)相當(dāng)有限。
臺(tái)積電的 12nm FinFET 在當(dāng)前的 16nm FinFET 工藝上改進(jìn)而來(lái)，擁有更高的晶體管密度和更低的功耗，在當(dāng)前 10nm 工藝良率低下的情況下，12nm FinFET 工藝可以幫助它吸引客戶。
華為海思將在今年 10 月 -11 月之間發(fā)布新款的高端芯片，估計(jì)命名為麒麟 970，如果其選擇臺(tái)積電的 10nm 工藝的話由于臺(tái)積電的 10nm 工藝產(chǎn)能緊張就有可能重演 2015 年的麒麟 950 延遲量產(chǎn)的覆轍，在這樣的情況下選擇臺(tái)積電的 12nm 工藝將是不錯(cuò)的選擇。
去年華為海思就選擇了穩(wěn)妥的辦法，采用臺(tái)積電成熟的 16nm FinFET 工藝生產(chǎn)其新款高端芯片麒麟 960，按計(jì)劃推出了這款芯片。聯(lián)發(fā)科則希望率先采用臺(tái)積電的 10nm 工藝，通過(guò)采用更先進(jìn)的工藝獲得更低的功耗和更高的性能以與高通競(jìng)爭(zhēng)，結(jié)果就是當(dāng)下的尷尬局面，受制于臺(tái)積電的 10nm 量產(chǎn)進(jìn)程和良率問(wèn)題 helio X30 遲遲未能上市，聯(lián)發(fā)科的另一款芯片 P35 同樣因臺(tái)積電的 10nm 工藝量產(chǎn)影響，讓中國(guó)手機(jī)企業(yè)失去了耐心，紛紛放棄采用其芯片。
在 helio X30 和 P35 失去了中國(guó)手機(jī)企業(yè)支持的情況下，聯(lián)發(fā)科推新款芯片就勢(shì)在必行，但是在臺(tái)積電的 10nm 工藝產(chǎn)能緊張的情況下，采用 12nm FinFET 工藝可以確保其新款芯片的上市。
另一個(gè)是 12nm FinFET 工藝是在 16nm FinFET 上改進(jìn)而來(lái)，工藝更成熟，良率高，成本自然更低，聯(lián)發(fā)科的毛利已創(chuàng)下新低；華為海思的芯片主要是自家使用，規(guī)模較小，同樣需要控制成本，在這樣的情況下采用成本較 10nm 工藝更低的 12nm 對(duì)它們來(lái)說(shuō)也是十分合適的。
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