芯耀
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本月的臺(tái)積電投資者電話會(huì)議內(nèi)容非常有趣，臺(tái)積電主席張忠謀在問(wèn)答環(huán)節(jié)的表現(xiàn)可圈可點(diǎn)。作為一個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的專業(yè)人士，我認(rèn)為有一些問(wèn)題非?？尚?，但也許這些問(wèn)題對(duì)財(cái)務(wù)投資者很有價(jià)值。Randy 的這個(gè)問(wèn)題我認(rèn)為就很精明，值得在這里討論一下：
Randy Abrams
我想問(wèn)你的第一個(gè)問(wèn)題，你預(yù)計(jì)代工產(chǎn)業(yè)明年的營(yíng)收增長(zhǎng) 5-10%，臺(tái)積電營(yíng)收的表現(xiàn)基本和行業(yè)規(guī)模增長(zhǎng)速度一致，你能談?wù)勗谶^(guò)去幾年都跑贏整個(gè)行業(yè)之后，為什么今年會(huì)和行業(yè)平均增速步調(diào)一致嗎？此外，臺(tái)積電能夠應(yīng)對(duì)來(lái)自中國(guó)大陸的代工業(yè)務(wù)的沖擊嗎？我們看到中國(guó)大陸代工廠增長(zhǎng)速度很快，比如中芯國(guó)際過(guò)去兩年的營(yíng)收同比增長(zhǎng)速度在 20%到 30%之間，臺(tái)積電如何在成熟節(jié)點(diǎn)上爭(zhēng)取更多的市場(chǎng)份額或保護(hù)既有的市場(chǎng)份額？要知道，中國(guó)大陸的代工產(chǎn)業(yè)在成熟節(jié)點(diǎn)上的增長(zhǎng)更快。
（臺(tái)積電是中芯國(guó)際的一個(gè)大股東，臺(tái)積電當(dāng)年贏得知識(shí)產(chǎn)權(quán)訴訟案后獲得了中芯國(guó)際 10%的股權(quán)，臺(tái)積電已經(jīng)剝離了這部分產(chǎn)權(quán)？）
首先也是最重要的，臺(tái)積電這幾年來(lái)都比較保守，因?yàn)樗麄兛偸前烟O(píng)果當(dāng)成頭號(hào)客戶捧得高高在上，并保護(hù)他們這個(gè)第一大客戶。可是，如果蘋(píng)果下一代 iPhone 和 iPad 是臺(tái)積電 10nm 工藝的唯一客戶的話，它很難在下半年取得 5%的增長(zhǎng)，我之前曾經(jīng)提到，臺(tái)積電 2017 年的營(yíng)收增長(zhǎng)速度可能會(huì)再次達(dá)到兩位數(shù)（10-15%）。
對(duì)于晶圓代工來(lái)說(shuō)，這是又一個(gè)表現(xiàn)強(qiáng)勁的年頭，但是有趣的是，雖然半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)錄得了兩位數(shù)增長(zhǎng)，而整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的整體表現(xiàn)卻比較平淡。
其次，中芯國(guó)際目前正在大力推進(jìn)其第二營(yíng)收來(lái)源，因?yàn)樗麄冋诹慨a(chǎn)與臺(tái)積電 28nm 兼容的工藝，大部分客戶是在中國(guó)。臺(tái)積電如何反擊或保護(hù)它在成熟節(jié)點(diǎn)的成果呢？在中國(guó)，他們并沒(méi)有直面反擊，而是把市場(chǎng)拓展到 FinFET 工藝上。要知道，臺(tái)積電 FinFET 工藝并不是 GDS 兼容的，而中芯國(guó)際直到 2020 年左右才有可能推出自己的 FinFET 工藝。同時(shí)，TSMC 正準(zhǔn)備發(fā)布針對(duì)密度和成本優(yōu)化的第四代 FinFET 工藝（12nm）。事實(shí)上，英特爾幾年前發(fā)布了一個(gè)讓人大倒胃口的芯片工藝縮放圖，我希望臺(tái)積電能給出一個(gè)更新的版本。
上面這個(gè)圖表來(lái)自于英特爾在臺(tái)積電開(kāi)始生產(chǎn) 16nm 工藝之前，臺(tái)積電相繼發(fā)布了 16FF+、16FFC，現(xiàn)在已經(jīng)推進(jìn)到了 12nm。
我個(gè)人猜想，就芯片密度和單個(gè)晶體管的成本而言，臺(tái)積電的 12nm 應(yīng)該能很容易地與英特爾 14nm 打個(gè)平手。
不幸的是，英特爾仍在使用這個(gè)過(guò)時(shí)的幻燈片。事實(shí)上，就在本月舉行的摩根士丹利技術(shù)論壇上，英特爾客戶計(jì)算事業(yè)部副總裁 Navin Shenoy 就表示，英特爾的 14nm 相當(dāng)于三星和臺(tái)積電的 10nm，所以他們正在考慮重新命名他們的 10nm：
“我相信，當(dāng)我們的 10nm 工藝出來(lái)后，可能應(yīng)該重新命名一下這個(gè)工藝，我們會(huì)考慮工藝命名的，10nm 出來(lái)后，我相信，無(wú)論是在密度、性能還是在功耗上，我們的 10nm 都比業(yè)內(nèi)其他公司的 10nm 具備明顯的優(yōu)勢(shì)。”
好吧，暫且不論英特爾的論斷是否正確。 不幸的是，英特爾的 10nm 出來(lái)的時(shí)間跟臺(tái)積電的 7nm 出來(lái)的時(shí)間一樣，所以這樣一來(lái)，英特爾仍然不會(huì)有明顯的密度優(yōu)勢(shì)。
張忠謀
我認(rèn)為 2017 年制造工藝的表現(xiàn)會(huì)相當(dāng)強(qiáng)勁，對(duì)于 16nm FinFET 或者 14nm FinFET 而言，這將是一個(gè)表現(xiàn)搶眼的年份。我們的市場(chǎng)份額主要體現(xiàn)在 16nm FinFET 上，它現(xiàn)在的市場(chǎng)份額確實(shí)很高，但是還沒(méi)有達(dá)到我的期望，實(shí)際上可以達(dá)到 70%或者在 65-70%之間。當(dāng)然，這個(gè)份額占比還比不上我們的 28nm 工藝，即使是現(xiàn)在，我們?cè)?28nm 上的市場(chǎng)份額也高達(dá)將近 80%。我認(rèn)為，2017 年將是一個(gè)非常好的年景。
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