可靠消息：16nm工藝將在明年爆發(fā)！

需要先交代下這里提到的AMSL公司的背景。ASML (全稱： Advanced Semiconductor Material Lithography,公司的注冊標識為ASML Holding N.V)，中文名稱為阿斯麥（中國大陸）、艾司摩爾（中國臺灣）。是總部設在荷蘭Veldhoven的全球最大的半導體設備制造商之一，向全球復雜集成電路生產企業(yè)提供領先的綜合性關鍵設備。這么一說大家應該明白，為什么從ASML那里得到的消息可靠，因為他們要向臺積電、Global Foundries這類晶圓廠提供可用于更先進工藝制程的生產設備，可以第一時間知道各工藝廠商在新的工藝節(jié)點的開發(fā)進展。

“14nm/16nm工藝的量產將在明年實現(xiàn)”ASML CEO Peter Wennink如是說。此前業(yè)界一直認為這一量產時間點將是2016年。

“從我們目前看到的需求，用戶都計劃在2015年實現(xiàn)14nm/16nm工藝產品的量產”Wennink表示。

可以用“萬事俱備”來形容10nm工藝的生態(tài)，但7nm的成熟還需要一個過程。

“一些10nm工藝上至關重要的客戶正在敦促我們開發(fā)和采用EUV技術”Wennink補充，可以推斷，沒有EUV，10nm工藝的實施將非常困難。

針對EUV，ASML的客戶目前每次EUV光刻每天可實現(xiàn)500片晶圓的產量，ASML相信到2016年，EUV設備可實現(xiàn)1500wpm的產能，到那時，最先進的EUV設備的成本可達到9000萬美元。

Wennink透露，ASML正在和一個客戶合作，計劃在2016年下半年進入10nm邏輯節(jié)點，這是14nm和7nm的一個中間節(jié)點。

目前ASML已經具備了80W的光源能力，理論上可以實現(xiàn)1000wpm的產能，但Wennink指出，出于設備維護需求的考慮，這一理論吞吐量降到500wpm。

關于EUV光刻技術

此前，EUV技術曾經在65nm節(jié)點被寄予厚望，但由于光源不足、光刻膠和掩膜版等相關技術不到位等原因，其進入量產的時間不斷被推遲。同時，常規(guī)光刻技術仍在進步，目前尚未真的需要EUV光刻。不過，隨著芯片產商們開始關注20nm以及更先進的技術節(jié)點，人們對關鍵層可采用哪些技術存在疑惑，包括對雙重圖形的成本、高折射率浸入式光刻缺乏支撐以及EUV量產的準備程度等問題仍存疑慮。有觀點認為20nm可能是EUV大展拳腳的時間點，也有較為悲觀的人認為至少要到2016年EUV才會為量產所用。至少到2013年，ArF雙重圖形技術和EUV都是熱門的候選方案。

相較而言，EUV更具有延展性，極有希望支持小于10nm的技術節(jié)點。

現(xiàn)在看來，EUV的春天來了。

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