隨著全球人工智能(AI)與高性能計算(HPC)需求的爆發(fā)式增長,高帶寬內(nèi)存HBM已成為支撐下一代算力基礎(chǔ)設(shè)施的關(guān)鍵技術(shù)。HBM通過3D封裝堆疊多層DRAM,并利用硅通孔(TSV)實現(xiàn)高速互聯(lián),對芯片制造與封裝設(shè)備提出了更高要求。在此背景下,全球半導(dǎo)體設(shè)備大廠正積極布局,其中韓美半導(dǎo)體、中微公司、盛美上海近期動作頻頻,顯示出在HBM及先進封裝領(lǐng)域的強勁發(fā)力。
01、韓美半導(dǎo)體組建HBM4設(shè)備研發(fā)團隊
近期,韓美半導(dǎo)體(Hanmi Semiconductor)正式對外宣布,公司已成立專門團隊,全力投入HBM4相關(guān)設(shè)備的研發(fā)。
其于5月14日宣布推出專為HBM4生產(chǎn)設(shè)計的“TC Bonder 4”。該公司董事長郭東信指出,隨著HBM4標(biāo)準(zhǔn)高度的放寬,新款TC Bonder 4憑借其顯著提升的生產(chǎn)效率和精度,將支持全球客戶在今年下半年量產(chǎn)HBM4。HBM4作為第六代高帶寬內(nèi)存,相較于HBM3E速度提升60%且功耗降低30%,并支持多達16層堆疊和2048個TSV接口,極大地提升了數(shù)據(jù)傳輸能力。
公開資料顯示,韓美半導(dǎo)體,這家成立于1980年的韓國知名半導(dǎo)體設(shè)備制造商,長期以來專注于半導(dǎo)體后道工藝(封裝)設(shè)備的研發(fā)與生產(chǎn)。其核心產(chǎn)品涵蓋了熱壓鍵合(TC Bonder)、晶圓級封裝設(shè)備、引線鍵合機等,尤其在先進封裝領(lǐng)域,韓美半導(dǎo)體以其在垂直堆疊和精密連接方面的技術(shù)實力而聞名,已成為全球重要的供應(yīng)商之一,服務(wù)于各大存儲器廠商和晶圓代工廠。
02、中微公司全面布局HBM及先進封裝
6月9日,中微公司在投資者互動平臺上披露,已在高帶寬內(nèi)存HBM及先進封裝領(lǐng)域進行了全面布局。
中微公司董秘表示,公司在先進封裝,特別是HBM工藝相關(guān)的制程設(shè)備方面,產(chǎn)品線已涵蓋了刻蝕、CVD(化學(xué)氣相沉積)、PVD(物理氣相沉積)以及晶圓量測檢測設(shè)備。值得關(guān)注的是,中微公司已正式發(fā)布了其CCP刻蝕系統(tǒng)以及核心的TSV(硅通孔)深硅通孔設(shè)備。這意味著中微正積極推動其產(chǎn)品在高性能AI芯片封裝等新興應(yīng)用場景中的應(yīng)用和落地。
面對投資者關(guān)于是否專門研發(fā)HBM相關(guān)設(shè)備的疑問,中微公司強調(diào)其在先進封裝領(lǐng)域的設(shè)備覆蓋廣泛,能夠滿足HBM制程所需的核心設(shè)備類型。尤其在TSV深孔蝕刻技術(shù)上,中微通過自主研發(fā)實現(xiàn)了技術(shù)突破,已具備支撐量產(chǎn)需求的能力,有望在HBM產(chǎn)業(yè)鏈中發(fā)揮關(guān)鍵作用。
03、盛美上海44.82億元定增審核通過
6月6日,盛美上海披露其不超過人民幣44.82億元的定向增發(fā)(定增)申請已獲得上海證券交易所的審核通過。
根據(jù)盛美上海此前披露的定增預(yù)案,本次募集資金凈額將主要投向三大核心項目:研發(fā)和工藝測試平臺建設(shè)項目(擬投入約9.22億元)、高端半導(dǎo)體設(shè)備迭代研發(fā)項目(擬投入約22.55億元),以及補充流動資金(擬使用約13.04億元)。
此次盛美上海定增指向高端半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)投入與技術(shù)升級,這與當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)迭代加速、國產(chǎn)替代進程提速的大背景高度契合。雖然定增預(yù)案未具體指明資金投向HBM領(lǐng)域,但盛美上海在濕法清洗和電鍍設(shè)備等先進工藝環(huán)節(jié)的深厚積累,使其在HBM等先進封裝技術(shù)的特定制程中具備優(yōu)勢,并且該公司近期披露多個新技術(shù)均指向與HBM和先進封裝技術(shù)緊密相關(guān)的濕法清洗技術(shù)和電鍍銅(ECP)技術(shù)。
在HBM的多層DRAM堆疊中,關(guān)鍵的硅通孔(TSV)技術(shù)涉及到深孔蝕刻后的高深寬比孔洞清洗,以去除殘余物和顆粒,確保后續(xù)填充的可靠性。同時,TSV的填充以及用于互聯(lián)的微凸點(Micro-bump)和重布線層(RDL)的形成,均高度依賴于精密、均勻的電鍍技術(shù)。
盛美上海作為全球領(lǐng)先的濕法清洗設(shè)備供應(yīng)商,其獨有的兆聲波清洗技術(shù)和多功能集成平臺,能夠高效清除晶圓表面的微小顆粒和化學(xué)殘留,確保超凈表面,這對于HBM堆疊的良率至關(guān)重要。公司正持續(xù)迭代其Ultra C系列清洗設(shè)備,例如,針對3D結(jié)構(gòu)和先進節(jié)點關(guān)鍵清洗的優(yōu)化,以及其Ultra C v系列單片垂直清洗設(shè)備,旨在滿足HBM等先進封裝對極高潔凈度和良率的需求。
此外,盛美上海的電鍍銅(ECP)技術(shù)在填充高深寬比的TSV以及制作先進封裝中的RDL和微凸點方面具有顯著優(yōu)勢,該公司正不斷推出更先進的電鍍設(shè)備,例如其Ultra ECP GIII平臺,便是為高性能計算(HPC)和先進封裝應(yīng)用而設(shè)計,提供對更精細間距微凸點和TSV的卓越填充能力,這正是HBM技術(shù)發(fā)展所亟需的關(guān)鍵能力。