近日,國內(nèi)外又新增2個碳化硅項目動態(tài):
- 揚杰科技:SiC車規(guī)級模塊項目總投資10億,已正式開工;
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- EYEQ Lab:8英寸SiC晶圓廠今年9月投產(chǎn),年產(chǎn)能為14.4萬片。
揚杰科技
5月10日,揚杰科技在官微宣布其SiC車規(guī)級功率半導體模塊封裝項目正式開工,中共揚州市委副書記及秘書長焦慶標、揚杰科技董事長梁勤和總裁陳潤生等領(lǐng)導出席開工儀式。
據(jù)悉,本次開工項目計劃總投資10億元,占地62畝,規(guī)劃建筑面積約11.2萬平米。項目聚焦車規(guī)級框架式、塑封式IGBT模塊,SiC MOSFET模塊等第三代半導體產(chǎn)品,對標國際標桿,產(chǎn)品技術(shù)指標直追國際領(lǐng)先水平,可實現(xiàn)進口替代。項目全面達產(chǎn)后,預(yù)計可實現(xiàn)年開票銷售10億元,稅收3000萬元。值得注意的是,揚杰科技在2024年年報中透露,他們計劃于 2025 年 Q4 開展全國產(chǎn)主驅(qū)碳化硅模塊的工藝、可靠性驗證。此外,揚杰科技投資的 SiC 芯片工廠在報告期內(nèi)完成廠房裝修、設(shè)備搬入和產(chǎn)品通線,采用 IDM 技術(shù)實現(xiàn)了650V/1200V 的 SiC SBD 產(chǎn)品從第二代升級到第四代, 650V/1200V 的 SiC MOS 產(chǎn)品從第二代升級到第三代,其中1200V SiC MOS 平臺的比導通電阻(RSP)已做到 3.33?mΩ·cm2以下。
EYEQ Lab
5月12日,EYEQ Lab在官網(wǎng)透露,他們在釜山機張郡建設(shè)的韓國首家 8 英寸碳化硅功率半導體制造工廠將于今年9月竣工投產(chǎn)。
與此同時,他們宣布開發(fā)出采用溝槽技術(shù)的8英寸SiC功率半導體器件,在減小芯片面積的同時,電氣穩(wěn)定性和耐用性顯著提高。這也是韓國首次采用自主設(shè)計和溝道技術(shù)成功開發(fā)的器件,將為今年9月竣工的機張郡工廠推進功率半導體的國產(chǎn)化奠定基礎(chǔ)。
據(jù)“行家說三代半”此前報道,EYEQ Lab的8英寸工廠舉行了奠基儀式,項目初始投資約1000億韓元(約5.44億人民幣),SiC晶圓產(chǎn)能為14.4萬片/年,投產(chǎn)時間預(yù)計為2025年9月。EYEQ Lab成立于 2018 年 5 月,是一家功率半導體無晶圓廠公司,通過建設(shè)8吋SiC工廠,意味著該無晶圓廠公司將成為功率半導體領(lǐng)域的綜合性半導體公司。