芯耀
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近年來，新平臺已經(jīng)由DDR4內(nèi)存升級到DDR5內(nèi)存，簡單來說，DDR5內(nèi)存具備更低的功耗，更高的頻率，以及更高的帶寬，能夠更好的滿足包括AI在內(nèi)的高性能計算需求，從而成為市場的主流。并且DDR5內(nèi)存現(xiàn)已推出單條64GB規(guī)格，對大內(nèi)存容量需求更加友好。
充電頭網(wǎng)采購了光威龍武 · 奕系列32GB DDR5內(nèi)存套裝，為兩條16G內(nèi)存。內(nèi)存時序為CL-36-40-40-96，標(biāo)稱頻率為6000MHz。內(nèi)存條自帶星空黑色鋁合金散熱馬甲，能有效降低運行時的溫升，提高可靠性。下面就帶來光威這款DDR5內(nèi)存的拆解，一起看看內(nèi)部的用料和設(shè)計。
光威龍武 · 奕DDR5內(nèi)存開箱
包裝盒正面印有GLOWAY品牌，龍武 · 奕系列，CL36時序，6000MHz頻率，32GB容量，為16*2套裝。
包裝盒背面設(shè)有開窗，能夠觀察到內(nèi)部兩條內(nèi)存的序列號，并粘貼信息標(biāo)簽。
GLOWAY 龍武 · 奕 32GB（16GBx2）DDR5 6000MT/s UDIMM 星空黑
物料名稱：VGM5UC60C36AG-DVDYBN
質(zhì)量等級：合格品
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 9813.1-2016
制造商：深圳市嘉合勁威電子科技有限公司
內(nèi)存條通過吸塑包裝固定。
從包裝盒中取出內(nèi)存條。
內(nèi)存條雙面均覆蓋黑色散熱馬甲。
內(nèi)存條散熱馬甲左下角印有奕 GAME THEORY字樣，右上角印有奕 · 系列字樣，頂部印有GLOWAY字樣。
另一面散熱馬甲粘貼內(nèi)存信息標(biāo)簽和防偽貼紙。
貼紙上的信息如下
DDR5 6000 U-DIMM
標(biāo)注內(nèi)存時序為
PC5-48000 CL-36-40-40-96 1.4V
內(nèi)存條金手指特寫。
使用游標(biāo)卡尺測得內(nèi)存條長度約為133mm。
內(nèi)存條高度約為46.5mm。
內(nèi)存條厚度約為8.1mm。
內(nèi)存條拿在手上的大小直觀感受。
測得單條內(nèi)存的重量約為70g。
光威龍武 · 奕DDR5內(nèi)存拆解
看完了光威這款DDR5內(nèi)存的開箱和外觀展示，下面就進(jìn)行拆解，一起看看內(nèi)部的用料和設(shè)計。
使用酒精滲透分開導(dǎo)熱墊，拆分內(nèi)存條PCB和散熱片。
散熱片為鋁合金材質(zhì)，內(nèi)部粘貼導(dǎo)熱墊，對應(yīng)PMIC的位置鏤空降低厚度。
內(nèi)存條PCB一覽，左右兩側(cè)各設(shè)有4顆內(nèi)存芯片，共8顆組成16GB容量。中間位置上方為PMIC和SPD Hub芯片。
PCB背面沒有任何元件，為單面布局。
內(nèi)存芯片印有POWEV字樣，表示來自嘉合勁威。內(nèi)存芯片絲印H2G08SC522-6AF，AP41070363N00。
內(nèi)存條PMIC和SPD Hub芯片特寫。
PMIC來自致新科技，型號G5100，芯片內(nèi)部集成3路同步降壓轉(zhuǎn)換器和兩路LDO，以及必要的保護(hù)功能，其中兩路降壓采用恒定導(dǎo)通時間控制，并可配置為雙相單路輸出。芯片支持輸出電流和溫度報告，具備I2C和I3C接口，采用FCQFN3*4-28封裝。
致新科技 G5100 資料信息。
PMIC供電輸入濾波電容特寫。
兩顆降壓電感特寫。
輸出濾波電容特寫。
單獨的降壓電感和濾波電容特寫。
SPD Hub芯片來自輝芒微，絲印FTSPD5118。
全部拆解一覽，來張全家福。
充電頭網(wǎng)拆解總結(jié)
光威龍武 · 奕系列DDR5內(nèi)存標(biāo)稱頻率為6000MHz，時序為CL-36-40-40-96，32G雙條套裝能夠很好滿足日常生產(chǎn)力和游戲的內(nèi)存需求。內(nèi)存條雙面均設(shè)有星空黑色鋁合金散熱馬甲，降低運行溫升，帶來穩(wěn)定可靠的使用體驗。
充電頭網(wǎng)通過拆解了解到，光威這款內(nèi)存采用導(dǎo)熱硅膠墊粘貼散熱片、PCB和內(nèi)存顆粒，正反面兩片散熱片為內(nèi)存顆粒散熱。內(nèi)存條為單面設(shè)計，使用國產(chǎn)DDR5顆粒，16G容量共使用8顆。內(nèi)存條使用不鎖電壓的PMIC，配合雙面鋁合金散熱片，讓超頻使用更加穩(wěn)定。
