芯耀
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核心觀點(diǎn)
2025年4月份存儲(chǔ)市場整體存儲(chǔ)器件需求穩(wěn)步增長，部分器件在四方維商品動(dòng)態(tài)商情需求指數(shù)中環(huán)比上漲；
整體庫存水位持續(xù)下降，NAND和傳統(tǒng)DRAM交貨時(shí)間不斷延長；
受關(guān)稅影響，原材料成本上揚(yáng)傳導(dǎo)至現(xiàn)貨成品端，推動(dòng)現(xiàn)貨市場部分存儲(chǔ)價(jià)格走強(qiáng)。
三大維度解讀存儲(chǔ)器件最新供需動(dòng)態(tài)
市場需求分析
4月，四方維商品動(dòng)態(tài)商情存儲(chǔ)需求指數(shù)環(huán)比上升7.38%，同比下降-29.71%。
小型語言模型的興起，進(jìn)一步擴(kuò)大AI在PC、手機(jī)、汽車與機(jī)器人等設(shè)備的應(yīng)用，并帶動(dòng)新的存儲(chǔ)需求。
AI應(yīng)用持續(xù)推動(dòng)云端服務(wù)器與邊緣運(yùn)算的發(fā)展，帶動(dòng)DRAM需求穩(wěn)步成長。
除HBM以外，原廠將DRAM供應(yīng)重心轉(zhuǎn)移至服務(wù)器DDR5，2025年服務(wù)器DDR5供應(yīng)將放量增長。
隨著存儲(chǔ)原廠專注于繼續(xù)擴(kuò)大先進(jìn)HBM產(chǎn)能，同時(shí)收緊傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能，將繼續(xù)推升HBM在DRAM的產(chǎn)能比重及市場占比。
美光全年的訂單已滿，除此之外，按產(chǎn)量計(jì)算領(lǐng)先的 HBM 供應(yīng)商海力士宣布，它將在上半年結(jié)束前完成 2026 年全部產(chǎn)能的客戶談判。
市場反饋表明，美光 HBM 已完全承諾供應(yīng)到 2025 年，2026 年的談判正在進(jìn)行中。
交貨周期分析
部分DRAM原廠相繼將應(yīng)用于消費(fèi)終端的DDR4產(chǎn)能轉(zhuǎn)產(chǎn)至其他高附加值產(chǎn)品中，在產(chǎn)能逐漸減少推動(dòng)下，DDR4顆粒連續(xù)數(shù)月控制供應(yīng)。
現(xiàn)貨渠道市場監(jiān)管趨嚴(yán)，部分低端存儲(chǔ)產(chǎn)品受到?jīng)_擊，雖近期現(xiàn)貨貿(mào)易商有部分資源釋出，但目前供應(yīng)端資源依然較少，且終端客戶備貨需求維持平淡。
美光預(yù)計(jì)2025年HBM總市場規(guī)模將達(dá)350億美元以上，比之前預(yù)估的300億美元有所提高，并預(yù)計(jì)2025年第四季度有望HBM份額達(dá)到與整體DRAM供應(yīng)份額相當(dāng)?shù)乃健?/p>
目前美光已開始批量生產(chǎn)12層HBM3E，并專注于提高產(chǎn)能和良率，預(yù)計(jì)2025年下半年，12層HBM3E將占HBM總出貨量的絕大部分。
供給方面，存儲(chǔ)大廠持續(xù)將產(chǎn)能優(yōu)先分配至HBM與DDR5等高效能產(chǎn)品，同時(shí)減少DDR3、DDR4與LPDDR4的生產(chǎn)，使得整體庫存水位持續(xù)下降。
海力士、美光和三星專注于利潤率更高的 HBM，卻以犧牲 NAND 和傳統(tǒng) DRAM 生產(chǎn)為代價(jià)，這意味著交貨時(shí)間不斷延長，分配協(xié)議也越來越嚴(yán)格。
價(jià)格波動(dòng)分析
由于部分原廠受市場環(huán)境不明朗影響，對(duì)于LPDDR4X供應(yīng)尤為謹(jǐn)慎（尤其是大容量)，現(xiàn)貨市場上對(duì)應(yīng)的LPDDR資源較為緊缺，本周現(xiàn)貨LPDDR4X成品價(jià)格小幅上漲。
近期受關(guān)稅影響，供應(yīng)端出貨更為謹(jǐn)慎且報(bào)漲資源價(jià)格，令行業(yè)內(nèi)存條跟隨成本上揚(yáng)而抬高成品報(bào)價(jià)。
原材料成本上揚(yáng)傳導(dǎo)至現(xiàn)貨成品端，部分存儲(chǔ)廠商嘗試調(diào)漲行業(yè)內(nèi)存條和LPDDR4X成品價(jià)格，但由于終端客戶銷售動(dòng)能不足，拉貨意愿不強(qiáng)，價(jià)格接受度低，使得存儲(chǔ)價(jià)格上漲幅度較為有限。
部分供應(yīng)端LPDDR4X/DDR4資源供應(yīng)吃緊，推動(dòng)現(xiàn)貨市場部分資源價(jià)格走強(qiáng)。
行業(yè)方面，繼上周行業(yè)SSD價(jià)格全線拉漲近10%之后，目前行業(yè)市場暫無明顯變化，整體看，本周行業(yè)SSD和內(nèi)存條價(jià)格不變。對(duì)于關(guān)稅帶來的影響，行業(yè)存儲(chǔ)廠商還在和客戶持續(xù)跟進(jìn)當(dāng)中。
受關(guān)稅影響，上游資源端方面，F(xiàn)lash Wafer價(jià)格維持不變，部分DDR資源價(jià)格上漲。其中，DDR5 16Gb Major/16Gb eTT價(jià)格分別調(diào)漲至4.25、3.2美元，DDR4 16Gb eTT價(jià)格漲至2.1美元。
企業(yè)級(jí)SSD二季度預(yù)計(jì)主要服務(wù)器客戶仍處于庫存調(diào)整階段，原廠eSSD價(jià)格預(yù)計(jì)將出現(xiàn)補(bǔ)跌回調(diào)，從而使得eSSD合約價(jià)與現(xiàn)貨價(jià)差收斂。
原廠已經(jīng)大幅削減DDR4產(chǎn)能，預(yù)計(jì)今年原廠DDR4晶圓投片占比削減至10%左右，新生產(chǎn)批號(hào)的DDR4將率先出現(xiàn)供需反轉(zhuǎn)，價(jià)格出現(xiàn)小幅上揚(yáng)。
此前服務(wù)器D5與D4的價(jià)差一度擴(kuò)大到80%以上，而隨著原廠DRAM產(chǎn)能調(diào)動(dòng)效果顯現(xiàn)，短期來看價(jià)格風(fēng)險(xiǎn)正從DDR4轉(zhuǎn)移至DDR5，服務(wù)器D5與D4的價(jià)差將有所收斂。
二季度服務(wù)器DDR5價(jià)格將出現(xiàn)-5%~-10%的回落，服務(wù)器DDR4價(jià)格持平至5%的小幅上漲，原廠eSSD合約價(jià)預(yù)計(jì)回落幅度約為10%。
美光在 3 月底宣布第二季度 DRAM 和 NAND 價(jià)格上漲，三星和海力士可能也會(huì)效仿——商品管理投入表明價(jià)格將上漲至少 10%。
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