芯耀
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近日，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，士蘭微、揚杰科技、晶盛機電皆公布了2024年財務報告，在碳化硅業(yè)務方面透露了諸多信息：
士蘭微：IGBT+SiC收入超22億
4月19日，士蘭微公布了2024年年度報告，其中透露：報告期內(nèi)，士蘭微實現(xiàn)營業(yè)總收入112.21億元，同比增長20.14%；歸母凈利潤2.2億元，比 2023 年增加2.56億元。
碳化硅業(yè)務方面，士蘭微主要透露以下進展：
●?2024年應用于汽車、光伏的 IGBT 和 SiC（模塊、器件）的營業(yè)收入達到22.61億元，較去年同期增長 60%以上。
●?2024 年基于士蘭微自主研發(fā)的Ⅱ代 SiC-MOSFET 芯片生產(chǎn)的電動汽車主電機驅(qū)動模塊在4家國內(nèi)汽車廠家出貨量累計達 5 萬只，客戶端反映良好，隨著 6 吋 SiC 芯片生產(chǎn)線產(chǎn)能釋放，已實現(xiàn)大批量生產(chǎn)和交付。
●?士蘭微已完成第Ⅳ代平面柵 SiC-MOSFET 技術的開發(fā)，性能指標接近溝槽柵SiC 器件的水平。第Ⅳ代 SiC 芯片與模塊已送客戶評測，基于第Ⅳ代SiC 芯片的功率模塊2025年將會上量。
●?士蘭明鎵已形成月產(chǎn) 9,000 片 6 吋 SiC MOS 芯片的生產(chǎn)能力。為滿足新一代SiC 芯片上量的要求，士蘭微已對 6 吋線進行技術改造和效率提升。預計 2025 年 SiC 芯片出貨量將顯著增加。
●?2024年年底，士蘭集宏 8 吋 SiC mini line 已實現(xiàn)通線，士蘭微 II 代芯片已在8 吋mini line 上試流片成功（其參數(shù)與 6 吋匹配，良品率高于 6 吋）。2025 年 2 月底，士蘭集宏主廠房及其他建筑物已全面封頂，目前正在進行凈化裝修，預計將在 2025 年 4 季度實現(xiàn)全面通線并試生產(chǎn)。
揚杰科技：SiC業(yè)務市場份額持續(xù)增加
近日，揚杰科技發(fā)布2024年年報，其去年實現(xiàn)營業(yè)收入60.33億元，同比增長11.53%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為10.02億元，同比增長8.5%。
針對碳化硅業(yè)務進展，揚杰科技透露：
●?揚杰科技投資的 SiC 芯片工廠在報告期內(nèi)完成廠房裝修、設備搬入和產(chǎn)品通線，采用 IDM 技術實現(xiàn)了650V/1200V 的 SiC SBD 產(chǎn)品從第二代升級到第四代，實現(xiàn) 650V/1200V 的 SiC MOS 產(chǎn)品從第二代升級到第三代，其中1200V SiC MOS 平臺的比導通電阻（RSP）已做到 3.33?mΩ·cm2以下。
●?報告期內(nèi)，揚杰科技在碳化硅尤其是SiC MOS 市場份額持續(xù)增加，當前各類產(chǎn)品已廣泛應用于 AI 服務器電源、新能源汽車、光伏、充電樁、儲能、工業(yè)電源等領域。
●?此外，揚杰科技計劃于 2025 年 Q4 開展全國產(chǎn)主驅(qū)碳化硅模塊的工藝、可靠性驗證。
晶盛機電：8英寸SiC襯底出貨量快速增長
4月19日，浙江晶盛機電股份有限公司發(fā)布2024年年度報告。報告期內(nèi)，公司實現(xiàn)營業(yè)收入175.77億元，同比下降2.26%，歸母凈利潤為25.1億元，同比下降 44.93%。截至 2024 年 12 月 31 日，公司未完成集成電路及化合物半導體裝備合同超 33 億元（含稅）。
據(jù)了解，在碳化硅領域，晶盛機電主要布局設備端及材料端，其最新進展有：
●?晶盛機電開發(fā)了碳化硅長晶及加工設備，并在檢測、離子注入、激活、氧化、減薄、退火等工藝環(huán)節(jié)積極布局產(chǎn)品體系，其碳化硅設備客戶包括瀚天天成、東莞天域、芯聯(lián)集成、士蘭微等行業(yè)頭部企業(yè)。
●?晶盛機電快速推進 8 英寸碳化硅襯底產(chǎn)能爬坡，同時積極拓展國內(nèi)外客戶，市場拓展成果顯著，產(chǎn)能和出貨量快速增加。
●?晶盛機電已掌握 8 英寸光學級碳化硅晶體的穩(wěn)定工藝，并積極 推進技術和工藝創(chuàng)新，力求早日實現(xiàn) 12 英寸光學級碳化硅襯底材料產(chǎn)業(yè)化。
