芯耀
2917
隨著新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、智能制造的興起，功率半導(dǎo)體成為各領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)。本文梳理了揚(yáng)杰科技、斯達(dá)半導(dǎo)體、士蘭微、東微半導(dǎo)、芯導(dǎo)科技、新潔能、華潤(rùn)微、捷捷微電、安世半導(dǎo)體、蘇州固锝、中車(chē)時(shí)代電氣、芯朋微等國(guó)內(nèi)領(lǐng)先廠商的研發(fā)方向和技術(shù)布局，幫助各位快速洞察產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)。
一、揚(yáng)杰科技：全面布局SiC/GaN，車(chē)規(guī)模塊搶占高端
揚(yáng)杰科技以垂直IDM模式涵蓋二極管、MOSFET、IGBT，建立SiC/GaN研發(fā)團(tuán)隊(duì)，已量產(chǎn)SiC MOSFET、肖特基二極管，GaN器件積極專(zhuān)利布局；采用銀燒結(jié)、Clip封裝技術(shù)，進(jìn)軍汽車(chē)電子、新能源發(fā)電儲(chǔ)能、工業(yè)控制領(lǐng)域。2023年研發(fā)投入占營(yíng)收比達(dá)6.5%，布局多個(gè)SiC/GaN專(zhuān)利。
二、斯達(dá)半導(dǎo)體：IGBT模塊國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，SiC加速車(chē)規(guī)應(yīng)用
斯達(dá)專(zhuān)注IGBT模塊，推出第七代溝槽IGBT芯片通過(guò)車(chē)規(guī)認(rèn)證量產(chǎn)；布局新能源汽車(chē)SiC模塊，采用高可靠燒結(jié)封裝工藝，廣泛應(yīng)用于新能源車(chē)主驅(qū)、軌道交通、工業(yè)控制等領(lǐng)域。
三、士蘭微：IDM模式全鏈布局，SiC器件率先量產(chǎn)
士蘭微擁有6/8寸晶圓產(chǎn)線，自主研發(fā)二代SiC MOSFET批量供車(chē)企，第三代溝槽型SiC MOSFET啟動(dòng)研發(fā)；同時(shí)布局車(chē)載GaN器件；掌握SiC模塊封裝能力，產(chǎn)品應(yīng)用擴(kuò)展至新能源汽車(chē)、光伏逆變、工業(yè)電源，2024年研發(fā)投入持續(xù)攀升。
四、東微半導(dǎo)：Fabless模式精進(jìn)MOSFET技術(shù)，布局寬禁帶材料
東微深耕MOSFET/IGBT設(shè)計(jì)，推出高壓超結(jié)、屏蔽柵MOSFET和IGBT，布局SiC/GaN產(chǎn)品研發(fā)；創(chuàng)新GreenMOS技術(shù)逼近GaN性能，廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、5G基站、工業(yè)控制、光伏儲(chǔ)能等市場(chǎng)。
五、芯導(dǎo)科技：“功率器件+IC”雙引擎，GaN布局領(lǐng)先
芯導(dǎo)產(chǎn)品覆蓋MOSFET、IGBT單管和TVS防護(hù)器件；650V增強(qiáng)型GaN FET實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，1200V SiC MOSFET進(jìn)入市場(chǎng)驗(yàn)證階段，應(yīng)用消費(fèi)電子、新能源汽車(chē)、工業(yè)控制領(lǐng)域，GaN功率模塊集成度行業(yè)領(lǐng)先。
六、新潔能：Fabless龍頭進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體，SiC/GaN新品不斷
新潔能依托12寸平臺(tái)量產(chǎn)溝槽MOSFET，SiC MOSFET與GaN HEMT實(shí)現(xiàn)工程化生產(chǎn)，小規(guī)模銷(xiāo)售中，產(chǎn)品主要針對(duì)手機(jī)快充、工業(yè)電源、新能源車(chē)OBC等高性能應(yīng)用。
七、華潤(rùn)微：國(guó)內(nèi)最大功率半導(dǎo)體IDM，SiC產(chǎn)業(yè)化領(lǐng)先一步
華潤(rùn)微建立首條商用6寸SiC晶圓產(chǎn)線并穩(wěn)定量產(chǎn)SiC MOSFET、二極管；GaN功率器件已規(guī)模商用，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車(chē)電子、電力變換、5G通信電源；研發(fā)投入高、專(zhuān)利積累豐富。
八、捷捷微電：傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)向IGBT/SiC延伸，第二成長(zhǎng)曲線啟動(dòng)
捷捷微電從晶閘管、防護(hù)器件擴(kuò)展至MOSFET和IGBT，完成SiC MOSFET芯片研發(fā)，產(chǎn)品延伸到汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域；2024年研發(fā)投入占營(yíng)收超10%，開(kāi)啟新增長(zhǎng)階段。
九、安世半導(dǎo)體：MOS管全球領(lǐng)跑者，雙技術(shù)路線并進(jìn)
原NXP標(biāo)準(zhǔn)件業(yè)務(wù)，全球領(lǐng)先的MOSFET、邏輯器件廠商，推出650V增強(qiáng)型與級(jí)聯(lián)GaN器件并車(chē)規(guī)認(rèn)證，1200V SiC MOSFET上市；封裝創(chuàng)新，廣泛應(yīng)用新能源汽車(chē)、通信電源等高端市場(chǎng)。
十、蘇州固锝：老牌分立器件廠商，發(fā)力車(chē)規(guī)SiC市場(chǎng)
蘇州固锝原主營(yíng)整流橋、二極管，近期拓展MOSFET領(lǐng)域；SiC肖特基二極管量產(chǎn)，主要面向新能源汽車(chē)主驅(qū)、電網(wǎng)設(shè)備市場(chǎng)，積極推進(jìn)SiC封測(cè)工藝創(chuàng)新。
十一、中車(chē)時(shí)代電氣：軌交巨頭進(jìn)軍SiC，打造完整產(chǎn)業(yè)鏈
中車(chē)時(shí)代依托軌道交通優(yōu)勢(shì)，高壓IGBT自主化領(lǐng)先；建成SiC芯片生產(chǎn)線，國(guó)內(nèi)首款自研SiC大功率電驅(qū)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)裝車(chē)，布局新能源汽車(chē)、工業(yè)電源領(lǐng)域。
十二、芯朋微：功率IC專(zhuān)家，GaN快充方案率先落地
芯朋微長(zhǎng)期專(zhuān)注電源管理IC和配套功率器件；率先推出20~65W GaN快充芯片及模塊，開(kāi)發(fā)高頻GaN功率模塊，持續(xù)布局服務(wù)器電源、光伏儲(chǔ)能、電動(dòng)車(chē)OBC市場(chǎng)。
行業(yè)趨勢(shì)洞察：
SiC全面爆發(fā)：IDM企業(yè)率先量產(chǎn)，設(shè)計(jì)企業(yè)積極跟進(jìn)，新能源汽車(chē)、光伏為主要市場(chǎng)。
GaN快速布局：安世半導(dǎo)體、芯導(dǎo)科技等領(lǐng)先，應(yīng)用于快充、通信電源，車(chē)規(guī)領(lǐng)域起步。
硅器件持續(xù)升級(jí)：IGBT與MOSFET迭代加速，國(guó)產(chǎn)廠商車(chē)規(guī)認(rèn)證突破。
封裝技術(shù)成競(jìng)爭(zhēng)關(guān)鍵：高可靠性、低寄生電感封裝廣泛布局，提升國(guó)產(chǎn)競(jìng)爭(zhēng)力。
生態(tài)合作深化：廠商與高校、供應(yīng)鏈聯(lián)合研發(fā)，構(gòu)建完整生態(tài)圈。
高強(qiáng)度研發(fā)投入成常態(tài)：廠商紛紛提升研發(fā)占比，構(gòu)筑技術(shù)壁壘。
中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正邁向高端化、自主化，未來(lái)有望實(shí)現(xiàn)更多核心技術(shù)突破。
歡迎加入知識(shí)星球，一起探索芯片世界。
