芯耀
844
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“羅姆”）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN?產(chǎn)品GaN HEMT，被先進(jìn)的日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所Murata Power Solutions的AI（人工智能）服務(wù)器電源采用。羅姆的GaN HEMT具有低損耗工作和高速開(kāi)關(guān)性能，助力Murata Power Solutions的AI服務(wù)器5.5kW輸出電源單元實(shí)現(xiàn)小型化和高效率工作。預(yù)計(jì)該電源單元將于2025年開(kāi)始量產(chǎn)。
近年來(lái)，隨著AI（人工智能）和AR（增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)）等在IoT領(lǐng)域的發(fā)展，數(shù)據(jù)通信量在全球范圍內(nèi)呈現(xiàn)持續(xù)增加趨勢(shì)。其中，據(jù)說(shuō)使用AI進(jìn)行一次查詢(xún)所消耗的電量比普通的網(wǎng)頁(yè)搜索要高數(shù)倍，這就迫切需要為處理這些查詢(xún)的高速運(yùn)算設(shè)備等供電的AI服務(wù)器電源進(jìn)一步提高效率。另一方面，具有低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)特性的GaN器件因其有助于電源的高效率工作和外圍元器件（如電源電路中使用的電感器等）的小型化而備受矚目。
Murata Power Solutions Technical Fellow Dr. Joe Liu表示：“很高興通過(guò)使用羅姆的GaN HEMT，使我們能夠設(shè)計(jì)出具有更高效率和更高功率密度的AI服務(wù)器電源單元。利用GaN HEMT的高速開(kāi)關(guān)工作、低寄生電容以及零反向恢復(fù)特性，可將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的影響控制到最小，還可提高開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的工作頻率并削減磁性元器件的尺寸。羅姆的GaN HEMT在性能方面非常具有競(jìng)爭(zhēng)力，且可靠性也很高，用在我們的AI服務(wù)器5.5kW輸出電源單元中，取得了非常好的效果。未來(lái)，我們將通過(guò)繼續(xù)與在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)顯著的羅姆合作，努力提高各種電源的效率，為解決電力供需緊張的社會(huì)課題貢獻(xiàn)力量。”
羅姆 LSI事業(yè)本部 Power Stage產(chǎn)品開(kāi)發(fā)部 部長(zhǎng) 山口雄平表示：“羅姆的EcoGaN?能夠被電源領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者M(jìn)urata Power Solutions的AI服務(wù)器電源單元采用，深感榮幸。這次采用的GaN HEMT具有行業(yè)先進(jìn)的開(kāi)關(guān)性能，而且使用的是散熱性?xún)?yōu)異的TOLL封裝，有助于Murata Power Solutions的電源單元實(shí)現(xiàn)更高功率密度和更高效率。另外，在“通過(guò)電子產(chǎn)品為社會(huì)做貢獻(xiàn)”方面，Murata Power Solutions與羅姆的經(jīng)營(yíng)愿景一致，我們希望未來(lái)也繼續(xù)與村田制作所合作，雙方共同促進(jìn)電源的小型化和效率提升，并為人們豐富多彩的生活貢獻(xiàn)力量。
