總投資超5億！2個GaN項目加速推進

步入2025年，氮化鎵領域迎來新動態(tài)，“行家說三代半”最新獲悉，國內外有兩大氮化鎵項目取得重要進展，詳情如下：

博威集成：GaN項目預計年底竣工

2日15日，據(jù)“鹿泉融媒”透露，河北博威集成電路有限公司的氮化鎵微波產品精密制造生產線正在進行基坑施工，預計2025年底竣工。

據(jù)悉，該項目位于河北省石家莊市，總占地面積70.4畝，計劃分兩期建設，其中一期占地面積約45畝，建筑面積約5萬平方米，投資約2.5億元，主要建設科研樓、生產車間及配套設施等。

該項目主要面向氮化鎵微波電路研發(fā)、制造和銷售，主要應用于5G通信、微波通信、衛(wèi)星通信等高科技重點領域，將在國內率先實現(xiàn)5G基站氮化鎵功放全體系技術突破和規(guī)模化生產，預計產品技術指標、質量可靠性及產業(yè)化能力均達到國際先進水平，市場占有率國內第一。

河北博威集成電路有限公司總經理郭躍偉表示，該項目于2024年11月開工建設，預計將在2025年竣工，2026年投產使用。項目建成后，主要布局的領域和產品包括用于移動通信的第三代半導體基站功放、微波點對點通信ODU用微波毫米波MMIC芯片和器件，以及衛(wèi)星互聯(lián)網、商業(yè)航天、低空經濟相關重點產業(yè)核心集成電路等。

企查查等平臺顯示，河北博威集成電路有限公司成立于2003年3月，控股股東為河北中瓷電子科技股份有限公司，參股股東為中國電子科技集團公司第十三研究所等，是一家專業(yè)從事微波射頻集成電路研發(fā)、生產與經營的高新技術企業(yè)，在5G通信基站用氮化鎵功放及5G網絡數(shù)據(jù)回傳用微波毫米波芯片與器件領域綜合實力國內領先。

印度：加快GaN芯片研發(fā)制造

2日16日，據(jù)The Economic Times報道，印度信息技術部長阿什維尼·瓦伊什納透露，首款“印度制造”芯片將于今年 9 月或 10 月問世，而且，氮化鎵芯片也正在研發(fā)制造當中。

據(jù)悉，印度政府已向班加羅爾印度科學研究所 (IISc) 撥款 33.4 億盧比（約合人民幣2.8億），將用于氮化鎵的技術研發(fā)，用于電信和電力領域。此外，印度政府還將很快推出與器件生產掛鉤的激勵 (PLI) 計劃。

除此之外，印度理工學院的一個跨學科教師小組也開發(fā)了印度首款 E-mode 氮化鎵功率晶體管，其報告稱性能可與迄今為止的一些最佳成果相媲美。而根據(jù)印度理工學院網站信息來看，GaN 被譽為印度在半導體這一領域占據(jù)一席之地的機會。

據(jù)此來看，隨著國內外項目的持續(xù)推進和技術突破，GaN有望進一步開拓下游市場，推動產業(yè)向更高水平發(fā)展。今年，《2024-2025氮化鎵（GaN）產業(yè)調研白皮書》將深入分析GaN技術的最新進展、市場趨勢以及未來的發(fā)展方向，為行業(yè)提供全面的參考。

目前，《GaN白皮書》正在調研中，歡迎行業(yè)領銜企業(yè)和專家參與編寫，共同推動GaN技術的發(fā)展。