芯片內(nèi)部如何實現(xiàn)過欠壓功能？

大家好，這里是大話硬件。

在前面通過推送《芯片內(nèi)部如何實現(xiàn)VREF參考穩(wěn)壓源？》實現(xiàn)了芯片內(nèi)部VREF功能，今天分享一下芯片內(nèi)部是如何實現(xiàn)過欠壓保護。

UC3842芯片系列的數(shù)據(jù)手冊如下：

從上面的描述可知，芯片在工作時，需要電壓達到16V，但是電壓跌落到10V后，芯片就不能工作。實現(xiàn)思路如下：當(dāng)電壓上升高于16V，產(chǎn)生一個信號，來表示芯片正常工作；當(dāng)芯片電壓跌落到10V，產(chǎn)生相反的信號，來關(guān)斷芯片內(nèi)部的模塊。

很明顯要實現(xiàn)上面的功能，使用滯回比較器就可以。滯回比較器的窗口電壓為6V，上限電壓為16V，下限電壓為10V，則參考電壓為13V。

仿真電路實現(xiàn)方案：VCC設(shè)定為18V，從0V開始上升，保持一段時間后，開始下降，模擬電路上下電的過程，觀察比較器輸出信號。

仿真波形：

仿真結(jié)果說明，當(dāng)電壓低于16V，VCC_ON的信號一直為低電平，當(dāng)電壓高于16V，VCC_ON為高電平，代表芯片進入正常的工作模式；當(dāng)電壓低于10V時，VCC_OFF為高電平，代表芯片未正常工作，實現(xiàn)欠壓保護功能。

如果使用上述的信號，就能實現(xiàn)數(shù)據(jù)手冊中描述的電流

仿真電路：

仿真結(jié)果：

從上面的數(shù)據(jù)可以看出，實現(xiàn)了數(shù)據(jù)手冊中描述的功能。

兩種方案均能模擬芯片拉電流的結(jié)果，和數(shù)據(jù)手冊要求一致。

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