芯片外置電阻RC如何實現(xiàn)振蕩器功能？

大家好，這里是大話硬件。

這篇文章來實現(xiàn)DC-DC控制器內(nèi)部的振蕩器模塊功能。

在調(diào)試DC-DC控制器時，如果要改變其開關(guān)頻率，通常是修改芯片外圍的RC參數(shù)， 如下圖所示。

結(jié)合常用芯片UC3842系列的內(nèi)部框圖，實現(xiàn)方式如下：

實現(xiàn)方案如下：

根據(jù)上述的原理，實現(xiàn)的思路：

使用一個電源對電容C先充電，再放電。因為在電容充電后期，電壓變化緩慢，這部分電壓需要去掉，同理，在放電后期，電壓變緩，也不需要放電為0，為了更精確控制開關(guān)頻率，振蕩器的頻率需要準確，故而，只截取電容充放電的一部分。

基于上述的思路 ，設(shè)計電路如下：

在另外一款經(jīng)典的芯片TL494數(shù)據(jù)手冊上寫了第二種方案實現(xiàn)振蕩器的功能。TL494這款芯片在10年前上大學那會，電子設(shè)計大賽的電源題目，最常見的就是這款芯片。

在《開關(guān)電源原理設(shè)計及實例》這本書里面，作者專門講了這兩款經(jīng)典的DC-DC控制器。

TL494數(shù)據(jù)手冊中實現(xiàn)思路如下：

理解下來就是使用一個恒流源（a constant current）對電容CT進行充電，恒流源的大小由RT來控制，當電容電壓達到3V時，開始放電，放電結(jié)束后，繼續(xù)對其進行充電。

實現(xiàn)原理如下:

同樣實現(xiàn)了芯片內(nèi)部振蕩器的原理。

但是可以看出，不同的芯片外置同樣的R=50kΩ，C=1nF的器件，內(nèi)部的振蕩頻率并不一樣。UC3842仿真振蕩器頻率36KHz，而TL494只有19KHz。差異原因來源于對電容充放電思路不一樣。

在某些規(guī)格書上能看到下面振蕩頻率計算公式，同一顆芯片，同樣的RC器件，內(nèi)部的振蕩頻率也不一樣。

不同芯片同樣的RC，內(nèi)部實現(xiàn)原理存在差異，振蕩頻率自然不一樣。但是對于同一顆芯片，k的取值不同的原因是為了當外部C不一樣時，內(nèi)部寄生參數(shù)存在差異，使用不同的K來補償內(nèi)部寄生參數(shù)的影響。

以上即為開關(guān)電源DC-DC內(nèi)部振蕩器實現(xiàn)原理。

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