Vishay推出小型頂側冷卻PowerPAK?封裝的600 V E系列功率MOSFET

第四代器件，額定功率和功率密度高于D2PAK 封裝產(chǎn)品，降低導通和開關損耗，從而提升能效

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封裝的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E，為通信、工業(yè)和計算應用提供高效的高功率密度解決方案。與前代器件相比，Vishay Siliconix n溝道SiHR080N60E導通電阻降低27 %，導通電阻與柵極電荷乘積，即600 V MOSFET在功率轉換應用中的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）下降60 %，額定電流高于D2PAK封裝器件，同時減小占位面積。

Vishay豐富的MOSFET技術全面支持功率轉換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種先進高科技設備。隨著SiHR080N60E的推出，以及其他第四代600 V E系列器件的發(fā)布，Vishay可在電源系統(tǒng)架構設計初期滿足提高能效和功率密度兩方面的要求—包括功率因數(shù)校正（PFC）和后面的DC/DC轉換器磚式電源。典型應用包括服務器、邊緣計算、超級計算機、數(shù)據(jù)存儲、UPS、高強度放電（HID）燈和熒光鎮(zhèn)流器、通信SMPS、太陽能逆變器、焊接設備、感應加熱、電機驅動，以及電池充電器。

SiHR080N60E采用小型PowerPAK 8 x 8LR封裝，外形尺寸為10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm，占位面積比D2PAK封裝減小50.8 %，高度降低66 %。由于封裝采用頂側冷卻，因此具有出色的熱性能，結殼（漏極）熱阻僅為0.25 °C/W。相同導通電阻下，額定電流比D2PAK封裝高46 %，從而顯著提高功率密度。此外，封裝的鷗翼引線結構具有優(yōu)異的溫度循環(huán)性能。

SiHR080N60E采用Vishay先進的高能效E系列超級結技術，10 V下典型導通電阻僅為0.074 Ω，超低柵極電荷下降到42 nC。器件的FOM為3.1 Ω*nC，達到業(yè)內(nèi)先進水平，這些性能參數(shù)意味著降低了傳導和開關損耗，從而實現(xiàn)節(jié)能并提高2 kW以上電源系統(tǒng)的效率。日前發(fā)布的MOSFET有效輸出電容Co(er) 和Co(tr)典型值分別僅為79 pF和499 pF，有助于改善硬開關拓撲結構開關性能，如PFC、半橋和雙開關順向設計。封裝還提供開爾文（Kelvin）連接，以提高開關效率。

器件符合RoHS標準，無鹵素，耐受雪崩模式下過壓瞬變，并保證極限值100 %通過UIS測試。

SiHR080N60E現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，如想了解供貨周期的相關信息，請與當?shù)劁N售部聯(lián)系。