12英寸晶圓產(chǎn)能持續(xù)放量

近期，據(jù)指尖四建消息顯示，4月20日，華虹制造（無錫）項目FAB9主廠房全面封頂。據(jù)悉，該項目為二期項目，總建筑面積約53萬平方米，將建設一條月產(chǎn)能8.3萬片的12英寸特色工藝生產(chǎn)線。

12英寸晶圓廠投資熱度不減，此前瑞薩電子、力積電、臺積電、聯(lián)電等都已宣布建設新的12英寸晶圓廠。中國大陸方面，此前行業(yè)消息顯示，2024年投產(chǎn)的12英寸晶圓廠還有華潤微、增芯科技、粵芯半導體，三個項目均位于廣東。

12英寸晶圓廠投資熱度不減

4月11日，瑞薩電子正式重啟此前已經(jīng)關(guān)閉的甲府工廠。據(jù)悉，瑞薩電子方面于2022年宣布斥資900億日元，將該工廠改建為12英寸晶圓廠，以應對功率半導體領域持續(xù)攀升的需求。該工廠目前潔凈室面積18000平方米，將于2025年開始量產(chǎn)IGBT、功率MOSFET等功率器件，翻倍瑞薩電子整體的功率半導體產(chǎn)能。

3月13日，力積電和印度塔塔集團合作興建的12英寸晶圓廠舉行動土典禮。據(jù)悉，該晶圓廠總投資9100億盧比（約110億美元），預計月產(chǎn)能達5萬片晶圓，涵蓋28nm、40nm、55nm、90nm、110nm多種成熟節(jié)點。

2月24日，臺積電日本熊本廠（JASM）正式開幕，這是臺積電在日本的第一座工廠（Fab23），TrendForce集邦咨詢表示，該工廠未來總產(chǎn)能將達40~50Kwpm規(guī)模，其制程將以22/28nm為主，還有少量的12/16nm，為后續(xù)的熊本二廠主力制程作準備。

此前臺積電已經(jīng)對外表示，為應對客戶需求增長，JASM在日本的第二座晶圓廠計劃于2024年底開始興建，2027年底開始營運。媒體報道，臺積電將向熊本第二工廠投資2萬億日元，新工廠將切入6nm及7nm先進制程，未來，JASM熊本晶圓廠的每月總產(chǎn)能預計超過10萬片12英寸晶圓。

1月，媒體報道聯(lián)電新加坡新廠將于2024年中完工，預計2025年初量產(chǎn)。聯(lián)電表示，為應對產(chǎn)能建設需求，該董事會通過資本預算執(zhí)行案3980萬美元。上述新廠第一期的月產(chǎn)能規(guī)劃為30000片晶圓，將提供22/28nm制程，總投資金額為50億美元。

資料顯示，聯(lián)電在新加坡投入12英寸晶圓制造廠的運營已超過20年，2022年2月，聯(lián)電宣布公司董事會通過在新加坡Fab12i廠區(qū)擴建一座嶄新的先進晶圓廠計劃，當時聯(lián)電預計新工廠將于2024年年底量產(chǎn)，不過最新消息顯示，新工廠預計將于2025年初量產(chǎn)。

2024年廣東多個12英寸晶圓廠即將投產(chǎn)

據(jù)廣東增城發(fā)布3月11日消息，增芯科技12英寸先進智能傳感器及特色工藝晶圓制造量產(chǎn)線項目于當日舉行光刻機搬入活動，標志項目順利進入調(diào)試投產(chǎn)準備階段。據(jù)悉，增芯項目。一期用地370畝，計劃投資370億元。預計今年6月通線，12月底完成第一批有良率產(chǎn)品下線，交付客戶。

據(jù)粵芯半導體官方消息，粵芯半導體三期項目將新建產(chǎn)能4萬片/月的12英寸集成電路模擬特色工藝生產(chǎn)線。目前粵芯半導體一期、二期項目已先后量產(chǎn)，正加快推動三期項目建設，力爭2024年當年實現(xiàn)固定資產(chǎn)投資40億元以上，確保三期2024年建成投產(chǎn)。

據(jù)“濱海寶安”公眾號消息，華潤微12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線項目預計也會在今年投產(chǎn)。據(jù)介紹，華潤微電子12英寸功率芯片生產(chǎn)線項目一期總投資220億元，總建筑面積23.8萬平米，建成后年產(chǎn)能48萬片。產(chǎn)品主要應用于汽車電子、新能源、工業(yè)控制、消費電子等領域。

據(jù)全球半導體觀察此前不完全統(tǒng)計，中國大陸目前運營著31家12英寸晶圓廠（包括在建的12英寸固定產(chǎn)能工廠），每月總產(chǎn)能約為118.9萬片晶圓產(chǎn)能。與規(guī)劃的月產(chǎn)能217萬片晶圓產(chǎn)能相比，這些晶圓廠的產(chǎn)能利用率接近54.48%，仍有很大的擴張空間。綜合考慮建設和未來規(guī)劃，預計未來五年中國大陸將新增24座12英寸晶圓廠，規(guī)劃月產(chǎn)能222.3萬片晶圓產(chǎn)能。假設所有規(guī)劃的12英寸晶圓代工廠均實現(xiàn)滿產(chǎn)，到2026年底，中國大陸12英寸晶圓月產(chǎn)能合計將超過414萬片晶圓產(chǎn)能，較目前產(chǎn)能利用率提升248.19%。