每年春天,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最讓人期待的盛會莫過于閃存大會和SEMICON。
今天來聊聊閃存大會(CFMS | MemoryS 2024)。3月20日,2024年閃存大會在深圳前海舉行,大會匯集了全球三大存儲原廠以及眾多產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)。據(jù)主辦方透露,今年大會總參與企業(yè)超過1500家,預(yù)計到場人數(shù)超過4000人。
現(xiàn)場確實熱鬧。從上午八點開始就人潮涌動,會議廳內(nèi)一座難求,廳外的走廊人擠人。如此火熱的場景不由讓人對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來充滿希望。
同樣讓人感到希望的是CFM閃存市場最新的研究數(shù)據(jù)。下面,分享一下閃存市場總經(jīng)理邰煒在大會報告《存儲周期、激發(fā)潛能》中提到的幾個市場的好消息及產(chǎn)業(yè)趨勢。
4個好消息
1、存儲市場規(guī)模今年重回正軌。
存儲市場規(guī)模連續(xù)兩年下降,2023年NAND Flash規(guī)模398億美元,DRAM規(guī)模505億美元。不過,今年開始,存儲市場規(guī)模重新回到正軌。在先進(jìn)技術(shù)以及新興市場應(yīng)用的帶動下,閃存市場預(yù)計今年市場規(guī)模相較去年提升42%以上。
總產(chǎn)量上,NAND FLASH將超過8000億GB當(dāng)量,比去年增長20%;DRAM預(yù)計增長15%,達(dá)到2370億Gb當(dāng)量。
2、預(yù)計到今年Q1,絕大部分存儲企業(yè)利潤率將得到全面有效的扭轉(zhuǎn)。
原廠利潤率自2023年Q1觸底后,開始轉(zhuǎn)向可觀的改善,個別公司甚至已經(jīng)開始恢復(fù)盈利。預(yù)計到今年Q1,絕大部分存儲企業(yè)利潤率將得到全面有效的扭轉(zhuǎn)。
2023年存儲原廠的市占率上,NAND Flash市場方面,三星、SK海力士、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光的市占率分別是33%、18%、18%、15%、11%。DRAM市場方面,三星、SK海力士、美光、南亞、華邦的市占率分別是41%、32%、23%、2%、1%。
3、預(yù)計今年存儲市場后續(xù)三個季度的價格將保持平穩(wěn)向上的趨勢
去年三季度起,原廠開始強(qiáng)勢減產(chǎn)并拉漲價格,現(xiàn)貨市場價格迎來全面反彈。隨著今年一季度價格的再次大漲,閃存市場預(yù)計今年后續(xù)三個季度的價格將保持平穩(wěn)向上的趨勢。不過,邰煒先生表示,過高過快漲幅將嚴(yán)重影響終端產(chǎn)品線的規(guī)劃、打擊容量擴(kuò)充的積極性,不利于產(chǎn)業(yè)整體健康穩(wěn)定的發(fā)展,呼吁市場理性。
4、三大核心應(yīng)用終端已經(jīng)基本上突破了黑暗期。
手機(jī)、PC、服務(wù)器這三大核心應(yīng)用終端已經(jīng)基本上突破了黑暗期。加上AI手機(jī)、AI PC、AI服務(wù)器等新興應(yīng)用的推動,預(yù)計今年將實現(xiàn)溫和增長。其中,預(yù)計手機(jī)今年將實現(xiàn)4%的增長;PC將實現(xiàn)8%的增長;服務(wù)器將實現(xiàn)4%的增長。
4個產(chǎn)業(yè)趨勢
作為周期性行業(yè),存儲市場在2019年-2023年經(jīng)歷了供過于求-疫情-缺貨-庫存-超跌的周期變化。這一輪周期最后在原廠主動減產(chǎn)中結(jié)束。展望2024-2026年新一輪周期,閃存市場認(rèn)為,新技術(shù)和AI應(yīng)用將激發(fā)存儲市場活力,帶動存儲產(chǎn)業(yè)從傳統(tǒng)的“價格周期”走向新的“價值周期”,提供更高價值的存儲解決方案將是未來存儲廠商的核心競爭力。
新周期會有以下幾個技術(shù)趨勢:
1、堆疊技術(shù)上,3D NAND繼續(xù)向高堆疊進(jìn)發(fā)。去年各大原廠均推出200層以上的產(chǎn)品,今年很多已經(jīng)朝300層推進(jìn),這也意味更低成本、更大容量、更快速度的閃存產(chǎn)品將陸續(xù)到來。
2、架構(gòu)上看,Bonding鍵合技術(shù)開始進(jìn)入主流。主要原因是,隨著堆疊層數(shù)提升,鍵合技術(shù)更具有成本優(yōu)勢。此外,鍵合技術(shù)可以將更多特性融入到NAND Flash里,更好地激發(fā)存儲潛能。
3、隨著終端產(chǎn)品追求越來越大的存儲容量,QCL的應(yīng)用開始加速。除了傳統(tǒng)的SSD產(chǎn)品,QCL在其他應(yīng)用領(lǐng)域比如UFS、uMCP、服務(wù)器SSD等將開始得到全面擴(kuò)展。
4、DRAM全面進(jìn)入EUV時代。各原廠開始推出全新DRAM產(chǎn)品,下一代產(chǎn)品也將在1~2年時間內(nèi)出現(xiàn)。
4大市場未來趨勢
目前,手機(jī)、PC、服務(wù)器仍是NAND和DRAM的主要應(yīng)用領(lǐng)域,消耗了NAND、DRAM超80%產(chǎn)能,汽車市場則是存儲產(chǎn)品的下一個主力應(yīng)用。
1、手機(jī)市場方面,UFS的市場占有率進(jìn)一步提升,并占據(jù)絕對的主導(dǎo)地位,其中UFS4.0增長更為明顯。手機(jī)容量上,高端機(jī)型基本進(jìn)入512G以及TB時代,預(yù)計今年手機(jī)平均容量將超過200G;內(nèi)存上則朝LPDD5/X演進(jìn),預(yù)計今年全年DRAM平均容量將超過7G。
AI手機(jī)作為手機(jī)市場的新熱點,16B的DRAM將成為其最低配置,推動手機(jī)存儲再次升級。
2、PC市場方面,去年1TB PCIe4.0已基本是PC市場的主流配置。DRAM上,預(yù)計LPDDR,尤其是LPDDR5/X將迎來迅速發(fā)展。隨著Windows10停止服務(wù),Windows的更新也會對24年的PC銷量帶來提振。另外,AI PC預(yù)計在2024年全面爆發(fā)。
3、服務(wù)器市場方面,DDR5應(yīng)用在2024年正式超過50%。隨著支持DDR5第二代服務(wù)器CPU平臺在2024年推出,DDR5 5600速率會在今年下半年進(jìn)入主流。AI服務(wù)器除了搭載HBM外,對DDR5的容量需求是普通服務(wù)器的2-4倍。隨著AI服務(wù)器需求大增,將同步帶動未來5年DRAM需求大漲。
高容量存儲模組上,2024年各大原廠都將推出32Gb單die,使得128GB模組可以跳過TSV這一環(huán)節(jié),為128GB模組進(jìn)入服務(wù)器主流市場掃清最主要的障礙。
此外,CXL進(jìn)入實用階段,開啟內(nèi)存池化新時代。加上2024年各大原廠HBM3e進(jìn)入量產(chǎn),今年服務(wù)器內(nèi)存的升級將非常激進(jìn)。
服務(wù)器SSD方面,2024年服務(wù)器PCIe5.0 SSD的滲透率將較2023年翻倍成長,更多8TB/16TB及以上PCIe SSD在服務(wù)器市場上的應(yīng)用增加。
4、汽車是存儲產(chǎn)品的下一個主力應(yīng)用。閃存市場預(yù)計,到2030年整個汽車存儲市場規(guī)模將超過150億美元。伴隨著L3級及以上自動駕駛汽車逐步落地,汽車對存儲的性能和容量的要求將提升,單車存儲容量會很快進(jìn)入TB時代。