Vishay推出采用改良設計的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊，降低導通和開關損耗

半橋器件采用Trench IGBT技術，可選低VCE(ON)或低Eoff，適用于大電流逆變級

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出五款采用改良設計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技術制造，為設計人員提供兩種業(yè)內(nèi)先進的技術選件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低運輸、能源及工業(yè)應用大電流逆變級導通或開關損耗。

日前發(fā)布的半橋器件使用節(jié)能效果優(yōu)于市場上其他器件的Trench IGBT，與具有超軟反向恢復特性的第四代FRED Pt?反并聯(lián)二極管封裝在一起。模塊小型INT-A-PAK封裝采用新型柵極引腳布局，與34 mm工業(yè)標準封裝100%兼容，可采用機械插接方式更換。

這款工業(yè)級器件可用于各種應用的電源逆變器，包括鐵路設備；發(fā)電、配電和儲電系統(tǒng)；焊接設備；電機驅(qū)動器和機器人。為降低TIG焊機輸出級導通損耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C，額定電流下，集電極至發(fā)射極電壓僅為 ≤ 1.07 V，達到業(yè)內(nèi)先進水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N適用于高頻電源應用，開關損耗極低，+125 °C，額定電流下，Eoff僅為1.0 mJ。

模塊符合RoHS標準，集電極至發(fā)射極電壓為650 V，集電極連續(xù)電流為100 A至200 A，結(jié)到外殼的熱阻極低。器件通過UL E78996認證，可直接安裝散熱片，EMI小，減少了對吸收電路的要求。

器件規(guī)格表：

新型IGBT功率模塊現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為15周。