預(yù)估2023年中國大陸成熟制程產(chǎn)能占比約29%，2027將擴(kuò)大至33%

2023~2027年全球晶圓代工成熟制程（28nm及以上）及先進(jìn)制程（16nm及以下）產(chǎn)能比重大約維持在7:3。中國大陸由于致力推動(dòng)本土化生產(chǎn)等政策與補(bǔ)貼，擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度最為積極，預(yù)估中國大陸成熟制程產(chǎn)能占比將從今年的29%，成長至2027年的33%，其中以中芯國際（SMIC）、華虹集團(tuán)（HuaHong Group）、合肥晶合集成（Nexchip）擴(kuò)產(chǎn)最為積極。

擴(kuò)產(chǎn)聚焦在Driver IC、CIS/ISP與Power Discrete等特殊工藝

Driver IC方面，主要采用HV（High Voltage）特殊工藝，各家業(yè)者近期聚焦40/28nm HV制程開發(fā)，而目前市場制程技術(shù)較領(lǐng)先的業(yè)者是聯(lián)電（UMC），其次是格芯（GlobalFoundries）。不過，中芯國際28HV、合肥晶合集成40HV將先后于今年第四季、明年下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段，并與其他晶圓代工業(yè)者的技術(shù)差距逐漸縮小，尤其制程能力與產(chǎn)能相當(dāng)?shù)母偁幷呷缌Ψe電（PSMC），或暫無十二英寸廠的世界先進(jìn)（Vanguard）、東部高科（DBHitek）短期內(nèi)將首當(dāng)其沖；對聯(lián)電、格芯中長期來看也將造成影響。

CIS/ISP方面，3D CIS結(jié)構(gòu)包含邏輯層ISP與CIS感光層，主流制程大致以45/40nm為分水嶺，邏輯層ISP制程將持續(xù)往更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)發(fā)展；CIS感光層與FSI/BSI CIS則以65/55nm及以上為主流。目前技術(shù)領(lǐng)先業(yè)者以臺(tái)積電（TSMC）、聯(lián)電、三星（Samsung）為主，但中芯國際、合肥晶合集成緊追其后，除持續(xù)追趕制程差距，產(chǎn)能也受惠中國智能手機(jī)品牌OPPO、Vivo、小米（Xiaomi）等支撐，加上陸系CIS業(yè)者OmniVision、Galaxycore與SmartSens響應(yīng)政府政策，陸續(xù)將訂單移回中國大陸進(jìn)行投產(chǎn)支撐。

Power Discrete（功率元件）方面，主要涵蓋MOSFET與IGBT兩種產(chǎn)品，世界先進(jìn)、HHGrace深耕Power Discrete制程已久，制程平臺(tái)及車規(guī)驗(yàn)證覆蓋完整性皆較其他同業(yè)更高。而受惠于大陸電動(dòng)車補(bǔ)貼政策以及鋪設(shè)太陽能相關(guān)基礎(chǔ)建設(shè)，陸系晶圓代工業(yè)者據(jù)此獲得更多切入機(jī)會(huì)，包含主流代工廠HHGrace、中芯國際、合肥晶合集成、CanSemi在內(nèi)的業(yè)者，加上本土小型的Power Discrete IDM、晶圓廠如GTA及CRMicro等均加入Power Discrete競爭行列。若大陸產(chǎn)能同時(shí)大量開出，將加劇全球Power Discrete代工競爭壓力。

整體而言，中國大陸透過積極招攬海外及境內(nèi)IC設(shè)計(jì)業(yè)者投產(chǎn)或研發(fā)新品，目的為提高本土化生產(chǎn)的比例，但大幅擴(kuò)產(chǎn)的結(jié)果可能造成全球成熟制程產(chǎn)能過剩，且隨之而來的將會(huì)是價(jià)格戰(zhàn)。TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，中國大陸成熟制程產(chǎn)能陸續(xù)開出，針對Driver IC、CIS/ISP與Power discrete等本土化生產(chǎn)趨勢將日漸明確，具備相似制程平臺(tái)及產(chǎn)能的二、三線晶圓代工業(yè)者可能面臨客戶流失風(fēng)險(xiǎn)與價(jià)格壓力，技術(shù)進(jìn)展和良率將是后續(xù)鞏固產(chǎn)能的決勝點(diǎn)。