NAND Flash市況復蘇緩慢，又一家大廠要減產(chǎn)？

半導體下行周期之際，AI大勢下HBM發(fā)展風生水起，并為DRAM市場注入了活力。與之相比，NAND Flash市場需求持續(xù)萎縮。為應對需求“寒冬”，多家存儲廠商今年表態(tài)將持續(xù)減產(chǎn)并縮減支出，NAND Flash成為被調(diào)整的重點領域。

近期，閃存大廠鎧俠在最新財報中表示，將配合需求動向進行減產(chǎn)。

減產(chǎn)、推遲投產(chǎn)？鎧俠也出手了

8月9日NAND Flash大廠鎧俠公布上季（2023年4-6月）財報，由于智能手機等產(chǎn)品需求低迷，NAND Flash市況持續(xù)惡化，價格下跌，受此影響，該季鎧俠營收2511億日元（約17.5億美元），同比減少32%。

鎧俠指出，因市況復蘇緩慢，將持續(xù)配合需求動向進行減產(chǎn)以及管控營銷費用，且為了維持競爭力、將持續(xù)進行次世代產(chǎn)品研發(fā)以及降低成本等措施。

另據(jù)共同社報道，為應對需求惡化，鎧俠在日本巖手縣北上市的北上工廠新建的廠房將推遲到2024年以后投入使用。該廠原計劃在2023年內(nèi)投產(chǎn)，鎧俠公關負責人稱新建廠房的大部分施工將在2023年內(nèi)結束，同時也表示：“投產(chǎn)時間未定。將在對需求動向進行詳細調(diào)查后再做判斷?！?/p>

稍早之前，SK海力士與三星也做出了減產(chǎn)NAND Flash的決定。SK海力士認為，與DRAM庫存去化速度相比，NAND閃存的去庫存速度相較緩慢，因此決定擴大NAND產(chǎn)品的減產(chǎn)規(guī)模。

三星電子存儲事業(yè)部執(zhí)行副總裁Jaejune Kim在財報電話會議上提到，三星將延長減產(chǎn)行動，并對包括NAND閃存芯片在內(nèi)的某些產(chǎn)品進行額外的產(chǎn)量調(diào)整。

豪賭未來，存儲大廠先進技術蓄勢待發(fā)

關于市場動向及今后展望，鎧俠指出，各家NAND Flash廠商擴大生產(chǎn)調(diào)整（減產(chǎn)）范圍、供需平衡逐步改善，在客戶去化庫存以及PC、智能手機的存儲搭載量增加背景下，預估NAND Flash需求將逐步復蘇，價格下跌情況也將隨著供需平衡改善而放緩。

鎧俠表示，當前嚴峻情況雖持續(xù)，不過NAND Flash市場中長期呈現(xiàn)成長趨勢的市場觀點目前未發(fā)生太大變化。

盡管當前NAND Flash市況相對艱難，但大廠依舊看好NAND Flash市場前景，并持續(xù)布局閃存堆疊技術，以圖未來。

目前NAND Flash已經(jīng)突破200層堆疊大關，存儲廠商正持續(xù)發(fā)力更高層數(shù)。8月9日SK海力士便在2023閃存峰會（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321層NAND閃存樣品，效率比上一代238層512Gb提高了59%。SK海力士表示將進一步完善321層NAND閃存，并計劃于2025年上半期開始量產(chǎn)。

除此之外，美光計劃232層之后推出2YY、3XX與4XX等更高層數(shù)產(chǎn)品；鎧俠與西數(shù)也在積極探索300層以上、400層以上與500層以上的3D NAND技術；三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層），2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層），2030年前實現(xiàn)1000層NAND Flash。