聽說，載波泄露也會(huì)影響信號的EVM？

載波泄露，大概的意思是，在信號上不應(yīng)該有本振信號的，但是你卻有了，是不小心泄露出來的。

當(dāng)然泄露的路徑多種多樣，可能是基帶信號的直流偏移(DC offset)，也可能是調(diào)制器端口之間的隔離度有限，也有可能是空間的某條耦合路徑~

那么，載波泄露會(huì)對EVM產(chǎn)生什么影響呢？

為了說明這個(gè)問題，先看一下基帶信號的直流偏移為啥會(huì)產(chǎn)生載波泄露。

假設(shè)基帶信號為：

則經(jīng)過上圖所示的正交調(diào)制器以后，得到如下的信號：

式子右邊的紅框框里，就是載波泄露，也稱為載波饋通(CFT,carrier feed through).

上面這個(gè)式子呢，第一步，顯而易見，按照上圖的正交調(diào)制器的框圖，劃拉一下，就是這個(gè)等式。

但是，第二步是怎么來的？

dang~

推算步驟見下面。

不想看推導(dǎo)的，略過也行。

現(xiàn)在回到開頭提到的那個(gè)問題，載波泄露會(huì)對EVM產(chǎn)生什么影響呢？

如果I路和Q路的基帶信號有直流偏移，則在星座圖上會(huì)發(fā)生星座圖平移，如下圖所示。

那這個(gè)帶有直流偏移的I路和Q路基帶信號，經(jīng)過理想調(diào)制，給到理想的解調(diào)器，解調(diào)出的星座圖，沒有懸念的，肯定也是上面這幅圖。

而，帶有直流偏移的I路和Q路基帶信號，經(jīng)過理想調(diào)制器后，會(huì)產(chǎn)生載波泄露。

所以，可以認(rèn)為，載波泄露會(huì)使得星座圖發(fā)生平移。

也許，會(huì)有這樣一個(gè)疑問哈！

那就是，你是直流偏移的I路和Q路基帶信號，經(jīng)過調(diào)制后，產(chǎn)生的載波泄露，會(huì)產(chǎn)生星座圖平移。

那如果是別的途徑來的載波泄露，是不是也會(huì)？雖然我覺得也會(huì)，因?yàn)榭梢詫降雇?，這樣的話，從別的地方過來的載波泄露，也可以等價(jià)為基帶信號上的直流偏移。但是用ADS仿真看了一下，發(fā)現(xiàn)平移沒看到，反而旋轉(zhuǎn)了。大家再討論討論。

那么，怎么量化本振泄露對EVM的影響呢？

定義載波抑制Cs為載波泄露功率與信號傳輸功率的比值，如下圖所示。

其中，PCFT為載波泄露的功率，PTX為有用信號的功率。

而由于載波泄露導(dǎo)致的EVM惡化，可由下式進(jìn)行計(jì)算【1】：

本來想用仿真來驗(yàn)證一下理論的。但是沒成功，不知道是軟件問題，還是我的問題。

試了一下SystemVue，軟件并沒有給出想要的結(jié)果。星座圖沒有變化，EVM也沒有變化，但是從頻譜上看，確實(shí)是有一個(gè)很大的載波泄露，看基帶信號，確實(shí)也有直流疊加上去了，而且幅度還不小，不能忍！

沒辦法，我又折回ADS，用以前仿接收機(jī)的那一套，試了一下，發(fā)現(xiàn)比SystemVue好一點(diǎn)，能看到本振泄露，也能看到星座圖上確實(shí)是有了偏移，這到是和理論能對上。但是EVM反而變小了，不能忍！

不知道m(xù)atlab是個(gè)什么表現(xiàn)。本來很想試一下，奈何還完全不會(huì)！

參考文獻(xiàn)：[1] RF System Design of Transceivers for Wireless Communication.pdf