芯耀
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近日，重慶市人民政府發(fā)布了2023年市級重點建設項目以及重點前期規(guī)劃研究項目，其中涵蓋多個半導體產業(yè)項目，涉及半導體制造、半導體封測、半導體材料、功率半導體等領域。
其中：重點建設項目1156個，總投資約3萬億元，年度計劃投資約4300億元，包括華潤微電子功率半導體封測項目、南川CMP拋光材料項目、兩江奧特斯重慶四期半導體封裝載板生產線擴建項目、華潤微電子12英寸功率半導體晶圓生產項目等。
而重點前期規(guī)劃研究項目301個，總投資約1.4萬億元，包括化合物半導體項目、12英寸集成電路特色工藝線一期、以及硅光量產線項目等。
01、華潤微兩大項目同時上榜
在重慶市2023年重點建設項目名單中，由華潤微投資的功率半導體封測項目和12英寸功率半導體晶圓生產項目同時上榜。
其中，根據此前的信息顯示，華潤微電子功率半導體封測項目由華潤潤安科技（重慶）有限公司建設，項目計劃投資42億元。項目于2021年11月開工，擬建設功率半導體封裝生產線，計劃2026年建成投產。2022年10月，華潤微電子功率半導體封測基地項目迎來了首批設備搬入，同年12月22日，首顆中低壓SGT功率器件PDFN 3.3產品順利產出，良率99.5%。
項目建成并達產后，將主要用于封裝測試標準功率半導體產品、先進面板級功率產品、特色功率半導體產品；生產產品主要應用于消費電子、工業(yè)控制、汽車電子、5G、AIOT等新基建領域。
華潤微12英寸功率半導體晶圓生產項目由潤西微電子（重慶）有限公司建設，項目總投資75.5億元，項目建成后預計將形成月產3-3.5萬片12英寸中高端功率半導體晶圓生產能力，并配套建設12英寸外延及薄片工藝能力。
2022年12月底，華潤微電子在其官微宣布，重慶12英寸晶圓制造生產線以及先進功率封測基地實現通線。其中，12英寸晶圓制造生產線項目僅用18個月即實現包括中低壓溝槽SGT MOS、高壓超結SJ MOS在內的四個產品平臺全部通線；先進功率封測基地首顆中低壓SGT功率器件PDFN 3.3產品順利產出，良率99.5%。
據華潤微電子總裁李虹近日介紹，將以重慶為基地，圍繞功率器件打造研發(fā)設計中心、晶圓制造基地封測基地、外延中心，做大功率器件業(yè)務；聚焦高端工控及汽車電子市場，在重慶打造車規(guī)級功率導體產業(yè)基地和汽車芯片產業(yè)生態(tài)圈。
02、重慶加速布局功率及化合物半導體產業(yè)
當前，隨著新能源汽車、5G基站、工業(yè)和能源等應用快速發(fā)展，功率半導體市場需求不斷擴大，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體快速發(fā)展，同時，以氧化鎵為代表的第四代半導體亦開始展露頭角。
尤其是近年來在“碳達峰、碳中和”等戰(zhàn)略目標提出下，國內功率及化合物半導體產業(yè)似乎再次迎來了新的發(fā)展契機。在巨大市場前景的推動下，國內各地政府和廠商都開始紛紛下場競賽，希望能在該賽道搶占先機。
以此次重慶市公布的重點項目為例，除了華潤微兩大項目外，還包括江北萊芯第三代化合物半導體創(chuàng)新中心、涪陵6英寸IGBT功率半導體生產線項目、南岸第三代半導體和芯片激光高頻切割裝備生產基地、重慶高新區(qū)化合物半導體項目等。
其中，江北萊芯第三代化合物半導體創(chuàng)新中心項目將建設月產10萬片晶圓薄化生產線和月產2萬片芯片封裝測試生產線，計劃2023完工；涪陵6英寸IGBT功率半導體生產線項目建設70微米超薄背面制造和Trench技術正面制造6英寸車規(guī)級晶圓生產線；計劃2023年開工建設，2027建成。
政策方面，重慶市亦可謂是“不遺余力”地支持產業(yè)發(fā)展。在重慶市“十四五”規(guī)劃中，“功率半導體”及“化合物半導體”被重點提及。
《規(guī)劃》指出，以重大項目為抓手，持續(xù)擴大功率半導體領域優(yōu)勢地位，加快發(fā)展化合物半導體材料等產品，打造全國最大的功率半導體產業(yè)基地和集成電路特色工藝技術高地。瞄準汽車電子、工業(yè)控制、高端工業(yè)電源等應用需求，擴大功率半導體晶圓制造產能。
重慶還將積極發(fā)展化合物半導體。提升砷化鎵、磷化銦等第二代化合物半導體材料制造能力、產能和化合物半導體芯片生產線良品率；同時研發(fā)氮化鎵、碳化硅等寬禁帶半導體材料；開展碳基納米材料、銻化鎵、銦化砷等超寬禁帶半導體材料研究。
此外，2022年7月，重慶市人民政府印發(fā)《以實現碳達峰碳中和目標為引領深入推進制造業(yè)高質量綠色發(fā)展行動計劃（2022—2025年）》提到，加快電源管理芯片、化合物半導體重點項目規(guī)劃建設，到2025年力爭全市功率半導體產能達到15萬片/月（折合8英寸晶圓）。
