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驍龍810過熱問題元兇，都是臺(tái)積電20nm工藝鬧的？

因?yàn)轵旪?10的過熱和節(jié)流問題，可能導(dǎo)致HTC One M9和LG G Flex 2的電池使用壽命縮短，性能表現(xiàn)更差。而高通芯片過熱的原因在于其采用了臺(tái)積電20nm制造工藝。而三星Exynos芯片采用的是更低的14nm工藝。

與非網(wǎng)記者

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2015/04/28

臺(tái)積電高通

Nvidia請(qǐng)注意形象！不要把臟水都潑臺(tái)積電頭上

每一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)，只要碰到點(diǎn)問題，總有專業(yè)記者寫文章抨擊臺(tái)積電，好像所有的問題都是臺(tái)積電搞出來的。公平地說這些記者是有困難，他們不像半導(dǎo)體行家一樣，熟知IC設(shè)計(jì)公司的排名，能夠接觸到半導(dǎo)體公司的資料，所以搞不清楚20nm工藝是什么狀況也正常。但是望文生義瞎解釋就是媒體的不對(duì)了。

與非網(wǎng)記者

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2015/02/16

臺(tái)積電 NVIDIA

賽靈思，借20nm UltraScale FPGA產(chǎn)品加速替代ASIC

那邊Altera剛剛推出集成了Enpirion優(yōu)勢(shì)電源產(chǎn)品的SoC FPGA參考設(shè)計(jì)，這邊賽靈思就宣布兌現(xiàn)承諾，基于20nm工藝的UltraScale架構(gòu)FPGA產(chǎn)品正式發(fā)貨。雖然針鋒相對(duì)的氣勢(shì)明顯，但也能看出兩大廠商的策略和方向的不同。